Главная > Документация > Дискретные компоненты > Транзисторы

Компоненты группы MOSFET транзисторы

Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
V_DS (В)
R_DS(ON) 1.8 В (мОм)
R_DS(ON) 2,5 В (мОм)
R_DS(ON) 2,7 В (мОм)
R_DS(ON) 4.5 В (мОм)
R_DS(ON) 10 В (мОм)
I_D (А)
P_D (Вт)
Корпус

Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 431 следующая

Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	Полярность	Каналов шт	V_DS В	R_DS(ON) 1.8 В мОм	R_DS(ON) 2,5 В мОм	R_DS(ON) 2,7 В мОм	R_DS(ON) 4.5 В мОм	R_DS(ON) 10 В мОм	I_D А	P_D Вт	Корпус

IXTT8P50	Силовой P-канальный MOSFET-транзистор		IXYS	MOSFET	P	1	-500	1200	1200	1200	1200	1200	-8	180	TO-268
IXTH8P50	Силовой P-канальный MOSFET-транзистор		IXYS	MOSFET	P	1	-500	1200	1200	1200	1200	1200	-8	180	TO-247
IXFR12N100Q	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1100	1100	1100	1100	1100	10	250	ISOPLUS247
IXFR14N100Q2	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1100	1100	1100	1100	1100	9.5	200	ISOPLUS247
IXFH9N80Q	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	800	1100	1100	1100	1100	1100	9	180	TO-247AD
IXFH8N80	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	800	1100	1100	1100	1100	1100	8	180	TO-247AD
IXFQ10N80P	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	800	1100	1100	1100	1100	1100	10	300	TO-3P
IXTP7N60P	Стандартный N-канальный силовой MOSFET		IXYS	MOSFET	N	1	600	1100	1100	1100	1100	1100	7	150	TO-220
IXFP10N80P	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	800	1100	1100	1100	1100	1100	10	300	TO-220
IXTA7N60P	Стандартный N-канальный силовой MOSFET		IXYS	MOSFET	N	1	600	1100	1100	1100	1100	1100	7	150	TO-263
IXFH10N80P	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	800	1100	1100	1100	1100	1100	10	300	TO-247
IXFA10N80P	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	800	1100	1100	1100	1100	1100	10	300	TO-263
BSH203	P-channel enhancement mode MOS transistor		NXP	MOSFET	P	1	30	1100	-	920	660	-	0.47	0.417	SOT-23-3
IXTP7N60PM	Стандартный N-канальный силовой MOSFET		IXYS	MOSFET	N	1	600	1100	1100	1100	1100	1100	4	41	TO-220-3 ISO
IXFH10N90	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	900	1100	1100	1100	1100	1100	10	300	TO-247AD
IXFM10N90	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	900	1100	1100	1100	1100	1100	10	300	TO-204AA
IXTP6N50P	Стандартный N-канальный силовой MOSFET		IXYS	MOSFET	N	1	500	1100	1100	1100	1100	1100	6	100	TO-220
IXTA6N50P	Стандартный N-канальный силовой MOSFET		IXYS	MOSFET	N	1	500	1100	1100	1100	1100	1100	6	100	TO-263
IXFT12N100Q	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1050	1050	1050	1050	1050	12	300	TO-268
IXFH12N100P	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1050	1050	1050	1050	1050	12	463	TO-247

Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 431 следующая

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019

Поиск				В компонентах В документах По PDF базе По фирмам
		по всем полям Расширенный поиск