Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
DMN5L06VK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 50 3000 - - - - 0.28 0.25 SOT-563
DMN5L06WK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 50 3000 - - - - 0.3 0.25 SOT-323
DMN601DMK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 60 - - - - 3500 0.305 0.225 SOT-26
DMN601DWK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 60 - - - - 2000 0.305 0.2 SOT-363
DMN601K N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 60 - - - - 2000 0.3 0.35 SOT-23-3
DMN601TK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 60 - - - - 2000 0.3 0.15 SOT-523
DMN601VK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 60 - - - 3000 2000 0.305 0.25 SOT-563
DMN601WK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 60 - - - 3000 2000 0.8 0.2 SOT-323
DMN66D0LDW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 60 - - - - 3000 0.8 0.25 SOT-363
DMN66D0LT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 60 - - - - 3000 0.115 0.2 SOT-523
DMN66D0LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 60 - - - - 3000 0.115 0.2 SOT-323
DMP2004DMK DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 P 2 -20 1700 - - 700 - -0.55 0.5 SOT-26
DMP2004DWK DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 P 2 -20 1700 - - 700 - -0.43 0.25 SOT-363
DMP2004K P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 P 1 -20 1700 - - 700 - -6.6 0.55 SOT-23-3
DMP2004TK P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 P 1 -20 1700 - - 700 - -0.43 0.15 SOT-523
DMP2004VK DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 P 2 -20 1700 - - 700 - -0.53 0.4 SOT-563
DMP2004WK P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 P 1 -20 1700 - - 700 - -0.4 0.25 SOT-323
DMP2012SN P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 P 1 -20 - - - 230 - -0.7 0.5 SC-59
DMP2022LSS SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 P 1 -20 - - - 11 8 -10 2.5 SOP-8L
DMP2066LDM P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 P 1 -20 - - - 29 - -4.6 1.25 SOT-26
Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники