Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
DMN3051LDM N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 - - - 50 28 4 0.9 SOT-26
DMN3052L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 - - - 33 26 5.4 1.4 SOT-23-3
DMN3052LSS SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 - - - 30 24 7.1 2.5 SOP-8L
DMN3112S N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 - - - 92 47 5.8 1.4 SOT-23-3
DMN3115UDM N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 - - - 40 - 3.2 0.9 SOT-26
DMN3150L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 28 - - - 60 - 3.2 1.25 SOT-23-3
DMN3150LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 28 - - - 73 - 1.6 0.35 SOT-323
DMN3200U N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 - - - 62 - 2.2 0.65 SOT-23-3
DMN32D2LDF COMMON SOURCE DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 30 2200 - - - - 0.4 0.28 SOT-353
DMN32D2LV DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 2200 - - - - 0.4 0.4 SOT-563
DMN3300U N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 185 - - 100 - 2 0.6 SOT-23-3
DMN4468LSS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 - - - 15 11 8.7 1.52 SOP-8L
DMN4800LSS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 - - - 14 11 10 2.5 SOP-8L
DMN5010VAK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 50 3000 - - - - 0.28 0.25 SOT-563
DMN55D0UT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 50 - - - - - 0.16 0.2 SOT-523
DMN5L06DMK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 50 - - - - 3500 0.308 0.4 SOT-26
DMN5L06DWK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 50 3000 - - - - 0.305 0.25 SOT-363
DMN5L06K N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 50 3000 - - - - 0.3 0.35 SOT-23-3
DMN5L06TK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 50 1800 - - - - 0.28 0.15 SOT-523
DMN5L06VAK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 50 3000 - - - - 0.28 0.25 SOT-563
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019