Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IRFBG30 | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 5000 | 3.1 | 125 |
TO-220AB |
|
IXFH18N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 660 | 660 | 660 | 660 | 660 | 18 | 830 |
|
|
IXTY01N100D | Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 80000 | 80000 | 80000 | 80000 | 80000 | 0.4 | 25 |
TO-252 |
|
IXTP1N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 15000 | 15000 | 15000 | 15000 | 15000 | 1 | 50 |
TO-220 |
|
IXFP4N100QM | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 | 2.2 | 46 |
|
|
IRFBG20PBF | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 11000 | 1.4 | 54 |
TO-220AB |
|
IXFT18N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 660 | 660 | 660 | 660 | 660 | 18 | 830 |
|
|
IXTU01N100D | Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 80000 | 80000 | 80000 | 80000 | 80000 | 0.4 | 25 |
|
|
IXFX24N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 390 | 390 | 390 | 390 | 390 | 24 | 560 |
|
|
IXTY1N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 15000 | 15000 | 15000 | 15000 | 15000 | 1 | 50 |
TO-252 |
|
IRFBG20 | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 11000 | 1.4 | 54 |
TO-220AB |
|
STP2NK100Z | N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A,TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 6250 | 1.85 | 70 |
TO-220 |
|
IXFT15N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 15 | 690 |
|
|
IXTP01N100D | Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 80000 | 80000 | 80000 | 80000 | 80000 | 0.4 | 25 |
TO-220 |
|
STF5NK100Z | N-channel 1000V - 2.7? - 3.5A - TO-220FP Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 2700 | 3.5 | 30 |
|
|
IXFK24N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 390 | 390 | 390 | 390 | 390 | 24 | 560 |
|
|
STU2NK100Z | N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A, IPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 6250 | 1.85 | 70 |
|
|
IXFH15N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 15 | 690 |
|
|
STW5NK100Z | N-channel 1000V - 2.7? - 3.5A - TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 2700 | 3.5 | 125 |
|
|
IXFN26N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 390 | 390 | 390 | 390 | 390 | 23 | 595 |
|