Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRF3805L HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 3.3 220 130 TO-262
IRF3805 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 3.3 220 130 TO-220AB
IXFN230N20T N-канальный силовойGigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 200 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 220 1090 SOT-227
IXTA220N04T2-7 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 40 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 220 360 TO-263-7
IXTP220N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 40 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 220 360 TO-220
STE250NS10 N-channel 100V - 0.0045? - 220A - ISOTOP STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 4.5 220 500 ISOTOP
IXTQ220N055T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 4 4 4 4 4 220 430 TO-3P
IXTA220N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 40 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 220 360 TO-263
IXTH220N055T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 4 4 4 4 4 220 430 TO-247
IXTA220N055T7 N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 4 4 4 4 4 220 430 TO-263-7
IRF7480MTRPBF N-канальный MOSFET-транзистор семейства StrongIRFET™ в корпусе DirectFET® Infineon Technologies MOSFET
N 1 40 - - - - 1.2 217 96 DirectFET-ME
IRFP3703 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - - 2.8 210 230 TO-247AC
IRF2204 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 3.6 210 330 TO-220AB
IRFB3206PBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 3 210 300 TO-220AB
IXFB210N20P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 200 10.5 10.5 10.5 10.5 10.5 210 1500 PLUS264
IRFB3077PBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 75 - - - - 3.3 210 370 TO-220AB
TSM210N06CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 60 В, 210 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 3.1 210 250 TO-220
IRF3703 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - - 2.8 210 230 TO-220AB
IRFP2907 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 75 - - - - 4.5 209 330 TO-247AC
IRFBA1404P HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 3.7 206 300 TO-273AA
Страницы: предыдущая 1 ... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019