Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IPD50R500CE | 500В силовой транзистор серии CoolMOS™ CE | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 500 | 24 | 57 |
TO-252 |
|
FQPF10N60C | 600V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 600 | 9.5 | 50 |
TO-220F |
|
IRFZ48RSPBF | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 18 | 50 | 190 |
D2-PAK |
|
STF19NF20 | N-channel 200V - 0.15? - 15A - TO-220FP MESH OVERLAY™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 150 | 15 | 25 |
|
|
NTA4151P | Small Signal MOSFET ?20 V, ?760 mA, Single P?Channel, Gate Zener, SC?75 | ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | 20 | 490 | - | - | 260 | - | 0.76 | 0.301 |
|
|
IXFX420N10T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 420 | 1670 |
|
|
IRLR024N | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | 110 | 65 | 17 | 38 |
D-PAK |
|
FDU8782 | N-Channel PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 11 | 8.5 | 35 | 50 |
|
|
ZXMP4A16G | 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -40 | - | - | - | 100 | 60 | -6.4 | 2 |
SOT-223-4 |
|
IRFD220PBF | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 800 | 0.8 | 1 |
HEXDIP |
|
STP85NF55 | N-CHANNEL 55V - 0.0062? - 80A - TO-220 STripFET™ II POWER MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 6.2 | 80 | 300 |
TO-220 |
|
STE45NK80ZD | N-channel 800V - 0.11? - 45A ISOTOP Super FREDmesh™ MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 110 | 45 | 600 |
|
|
IXFN48N55 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 550 | 110 | 110 | 110 | 110 | 110 | 48 | 600 |
|
|
IRFS23N15D | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 90 | 23 | 3.8 |
D2-PAK |
|
IXTP120N075T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 7.7 | 7.7 | 7.7 | 7.7 | 7.7 | 120 | 250 |
TO-220 |
|
DMN3050S | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 40 | 27 | 5.2 | 1.4 |
SOT-23-3 |
|
FDMS8672AS | 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 5.4 | 4 | 18 | 2.5 |
Power 56 |
|
NVMFS5C604NL | N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 60 В | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 1.7 | 1.2 | 287 | 200 |
|
|
STD100NH03L | N-channel 30V - 0.005? - 60A - DPAK STripFET™ III Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | - | 5 | 60 | 100 |
D-PAK |
|
STD5NK50Z | N-CHANNEL 500V - 1.22? - 4.4A D/IPAK Zener-Protected SuperMESH™MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 1220 | 4.4 | 70 |
D-PAK |