Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
CPC3703C | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 4000 | 4000 | 4000 | 4000 | 4000 | 0.36 | 1.6 |
SOT-89 |
|
CPC3720C | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 350 | 22000 | 22000 | 22000 | 22000 | 22000 | 0.13 | 1.6 |
SOT-89 |
|
CPC5602 | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 350 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 | 0.13 | 1.6 |
SOT-223-4 |
|
CPC3730C | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 350 | 30000 | 30000 | 30000 | 30000 | 30000 | 0.14 | 1.6 |
SOT-89 |
|
CPC5603 | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 415 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 0.13 | 2.5 |
SOT-223-4 |
|
CPC3710C | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 0.22 | 1.6 |
SOT-89 |
|
CPC3714C | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 350 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 0.24 | 1.6 |
SOT-89 |
|
2N7002W | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 13500 | 0.115 | 0.2 |
SOT-323 |
|
DMP2066LSD | DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 2 | -20 | - | - | - | 29 | - | -5.8 | 2 |
|
|
DMN3052L | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 33 | 26 | 5.4 | 1.4 |
SOT-23-3 |
|
VN10LP | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 5000 | 0.27 | 0.625 |
TO-92 |
|
DMP3098L | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 98 | 56 | -3.8 | 1.8 |
SOT-23-3 |
|
DMN2104L | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | - | 42 | - | 4.3 | 1.4 |
SOT-23-3 |
|
DMN55D0UT | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 50 | - | - | - | - | - | 0.16 | 0.2 |
|
|
DMP2160U | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -20 | 92 | - | - | 60 | - | -3.2 | 1.4 |
SOT-23-3 |
|
DMN32D2LV | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 30 | 2200 | - | - | - | - | 0.4 | 0.4 |
|
|
DMP3120L | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 120 | - | -2.8 | 1.4 |
SOT-23-3 |
|
2N7002DW | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 2 | 60 | - | - | - | - | 4400 | 0.115 | 0.2 |
|
|
DMP2004DWK | DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 2 | -20 | 1700 | - | - | 700 | - | -0.43 | 0.25 |
|
|
DMN3030LSS | SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 26.4 | 15.7 | 9 | 2.5 |
|