Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| CSD75205W1015 | Сдвоенный P-канальный силовой MOSFET NexFET™ с общим истоком |
|
Texas Instruments |
MOSFET |
P | 2 | -20 | 145 | - | - | 95 | - | -1.2 | 0.75 |
|
| EFC6601R | Сдвоенный N-канальный силовой MOSFET-транзистор на 24 В / 13 А / 11.5 мОм, для схем коммутации нагрузки в устройствах заряда/разряда Li-ion аккумуляторных батарей |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 2 | 24 | - | 17 | - | 11.5 | - | 13 | 2 |
|
| EFC6602R | Сдвоенный N-канальный силовой MOSFET-транзистор на 12 В / 18 А / 5.9 мОм, для схем коммутации нагрузки в устройствах заряда/разряда Li-ion аккумуляторных батарей |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 2 | 12 | - | 11 | - | 5.9 | - | 18 | 2 |
|
| BSB012N03LX3 | Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 1.8 | 1.2 | 180 | 89 |
|
| BSB014N04LX3 | Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 2 | 1.4 | 180 | 89 |
|
| BSB028N06NN3 | Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.8 | 90 | 78 |
|
| NTLJS3113P | Power MOSFET -20 V, -7.7 A, Cool Single P-Channel, 2x2 mm, WDFN Package |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -20 | 67 | - | - | 32 | - | -5.8 | 1.9 |
|
| NTLJS4114N | Power MOSFET 30 V, 7.8 A, Cool Single N?Channel, 2x2 mm WDFN Package |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | 35.2 | - | - | 20.3 | - | 6 | 1.92 |
|
| NTLJS4149P | Power MOSFET -30 V, -5.9 A, Cool Single P-Channel, 2x2 mm, WDFN Package |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 43 | - | -4.5 | 1.9 |
|
| NTLJD4116N | Power MOSFET 30 V, 4.6 A, Cool Dual N?Channel, 2x2 mm WDFN Package |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 2 | 30 | 88 | - | - | 47 | - | 3.7 | 1.5 |
|
| NTLJS1102P | Power MOSFET ?8 V, ?8.1 A, COOL Single P?Channel, 2x2 mm, WDFN package |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -8 | - | - | - | 45 | 25 | -6.2 | 1.9 |
|
| NTLJD2104P | Power MOSFET ?12 V, ?4.3 A, COOL Dual P?Channel, 2x2 mm, WDFN package |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 2 | -12 | 110 | - | - | 60 | - | -3.5 | 1.5 |
|
| NTLJD3115P | Power MOSFET ?20 V, ?4.1 A, Cool Dual P?Channel, 2x2 mm WDFN Package |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 2 | -20 | 150 | - | - | 75 | - | -3.3 | 1.5 |
|
| NTLJS2103P | Power MOSFET -12 V, -7.7 A, Cool Single P-Channel, 2x2 mm, WDFN Package |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -12 | 45 | - | - | 25 | - | -5.9 | 1.9 |
|
| NTTFS4823N | Power MOSFET 30 V, 50 A, Single N?Channel, m8FL |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 13.5 | 8.1 | 50 | 32.9 |
|
| NTTFS4824N | Power MOSFET 30 V, 69 A, Single N?Channel, m8FL |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 5.7 | 3.6 | 69 | 46.3 |
|
| NTTFS4821N | Power MOSFET 30 V, 57 A, Single N?Channel, m8FL |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 8.8 | 5.8 | 57 | 38.5 |
|
| powerSTEP01 | Микросхема функциональной Системы-в-Корпусе (SiP) на базе восьми N-канальных MOSFET транзисторов и программируемого контроллера с интерфейсом SPI |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 8 | - | - | - | - | - | 21 | 10 | - |
|
| SSM6J409TU | Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS V) |
|
Toshiba |
MOSFET |
P | 1 | -20 | 46.5 | - | 30.2 | 22.1 | - | -9.5 | 1 |
|
| NTLUS4C16N | N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 30 В |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | 40 | 20 | - | 13.3 | 11.4 | 11.7 | 1.53 |
|
