Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
BSZ042N06NS | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 40 А | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 4.2 | 40 | 69 |
|
|
IPB057N06N | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 45 А | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 4.9 | 45 | 83 |
TO-263-3 |
|
IPD053N06N | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 45 А | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 5.3 | 45 | 83 |
TO-252 |
|
IPP060N06N | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 45 А | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 6 | 45 | 83 |
|
|
IPP040N06N | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 80 А | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 4 | 80 | 107 |
|
|
IPD025N06N | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 90 А | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.5 | 90 | 167 |
TO-252 |
|
BTF3050TE | Транзисторные ключи нижнего плеча семейства HITFET™ с функцией защиты | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 5 | - | - | - | 100 | - | 3 | - |
|
|
FSEZ1307 | ШИМ-контроллер управления для первичной стороны c интегрированным силовым MOSFET-транзистором | Fairchild Semiconductor |
MOSFET ШИМ |
- | 1 | 700 | - | - | - | - | 20000 | 0.5 | 0.66 |
|