Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTP1R4N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 13000 | 13000 | 13000 | 13000 | 13000 | 1.4 | 86 |
TO-220 |
|
IXTA1R4N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 13000 | 13000 | 13000 | 13000 | 13000 | 1.4 | 86 |
|
|
STN1NK60Z | N-channel 600V - 13? - 0.8A - SOT-223 Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 13000 | 0.3 | 3.3 |
SOT-223-4 |
|
2N7002W | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 13500 | 0.115 | 0.2 |
SOT-323 |
|
2N7002VAC | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 2 | 60 | - | - | - | - | 13500 | 0.28 | 0.15 |
|
|
2N7002VC | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 2 | 60 | - | - | - | - | 13500 | 0.28 | 0.15 |
|
|
2N7002VA | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 2 | 60 | - | - | - | - | 13500 | 0.28 | 0.15 |
|
|
2N7002V | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 2 | 60 | - | - | - | - | 13500 | 0.28 | 0.15 |
|
|
ZVP3306A | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 14000 | -0.16 | 0.625 |
TO-92 |
|
CPC5603 | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 415 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 0.13 | 2.5 |
SOT-223-4 |
|
CPC3714C | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 350 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 0.24 | 1.6 |
SOT-89 |
|
IXTY1N80P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 1 | 42 |
TO-252 |
|
IXTU1N80P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 1 | 42 |
|
|
IXTP1N80P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 1 | 42 |
TO-220 |
|
BS250P | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -45 | - | - | - | - | 14000 | -0.23 | 0.7 |
TO-92 |
|
IXTA1N80P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 1 | 42 |
|
|
ZVP3306F | SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 14000 | -0.09 | 0.33 |
SOT-23-3 |
|
IXTP1N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 15000 | 15000 | 15000 | 15000 | 15000 | 1 | 50 |
TO-220 |
|
IXTY1N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 15000 | 15000 | 15000 | 15000 | 15000 | 1 | 50 |
TO-252 |
|
BSP225 | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor | NXP |
MOSFET |
P | 1 | 250 | - | - | - | - | 15000 | 0.225 | 1.5 |
SOT-223-4 |