Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы Диоды Шоттки
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Кол-во диодов
VRRM (В)
IF(AV) (А)
VF (макс.) (В)
IR (макс.) (мкА)
IFSM (макс.) (А)
TJ (макс.) (°C)
Корпус

Диод Шоттки (назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки) — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода, как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение промышленно выпускаемых диодов Шоттки ограничено 250 В (MBR40250 и аналоги), на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка нескольких десятков вольт.

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 88 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Кол-во диодов VRRM
В		 IF(AV)
А		 VF (макс.)
В		 IR (макс.)
мкА		 IFSM (макс.)
А		 TJ (макс.)
°C		 Корпус
                         
SRAS2090 Ограничительный диод Шоттки в корпусе для поверхностного монтажа, 20 Ампер Taiwan Semiconductor Диоды Шоттки
 1 90 20 0.92 100 330 150 D2-PAK
SRAS2060 Ограничительный диод Шоттки в корпусе для поверхностного монтажа, 20 Ампер Taiwan Semiconductor Диоды Шоттки
 1 60 20 0.7 500 330 150 D2-PAK
SRAS2050 Ограничительный диод Шоттки в корпусе для поверхностного монтажа, 20 Ампер Taiwan Semiconductor Диоды Шоттки
 1 50 20 0.7 500 330 150 D2-PAK
SRAS2040 Ограничительный диод Шоттки в корпусе для поверхностного монтажа, 20 Ампер Taiwan Semiconductor Диоды Шоттки
 1 40 20 0.57 500 330 150 D2-PAK
SRAS2030 Ограничительный диод Шоттки в корпусе для поверхностного монтажа, 20 Ампер Taiwan Semiconductor Диоды Шоттки
 1 30 20 0.57 500 330 150 D2-PAK
SRAS2020 Ограничительный диод Шоттки в корпусе для поверхностного монтажа, 20 Ампер Taiwan Semiconductor Диоды Шоттки
 1 20 20 0.57 500 330 150 D2-PAK
MBR40200PT Ограничительный диод Шоттки, 40 Ампер Taiwan Semiconductor Диоды Шоттки
 2 200 40 0.9 100 330 150 TO-3P
MBR40150PT Ограничительный диод Шоттки, 40 Ампер Taiwan Semiconductor Диоды Шоттки
 2 150 40 0.9 100 330 150 TO-3P
MBR40100PT Ограничительный диод Шоттки, 40 Ампер Taiwan Semiconductor Диоды Шоттки
 2 100 40 0.84 500 330 150 TO-3P
DSB60C60HB Высокопроизводительный сдвоенный диод Шоттки, конфигурация с общим катодом IXYS Диоды Шоттки
 2 60 30 0.67 20000 320 150 TO-247AD
DSB60C60PB Высокопроизводительный сдвоенный диод Шоттки, конфигурация с общим катодом IXYS Диоды Шоттки
 2 60 30 0.69 20000 320 150 TO-220
VB60100C Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный ограничительный диод Шотки Vishay Диоды Шоттки
 2 100 60 0.97 2000 320 150 D2-PAK
MBR40H60CT Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышенной температуры перехода Vishay Диоды Шоттки
 2 60 40 0.83 200 320 175 TO-220AB
V60100C Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный ограничительный диод Шотки Vishay Диоды Шоттки
 2 100 60 1.33 2000 320 150 TO-220AB
MBR40H50CT Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышенной температуры перехода Vishay Диоды Шоттки
 2 50 40 0.83 200 320 175 TO-220AB
M6060C Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки Vishay Диоды Шоттки
 2 60 60 0.65 1400 320 150 TO-220AB
M6045C Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки Vishay Диоды Шоттки
 2 45 60 0.61 1400 320 150 TO-220AB
M6035C Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки Vishay Диоды Шоттки
 2 35 60 0.61 1400 320 150 TO-220AB
V60D120C Сдвоенный ограничительный диод Шоттки, выполненный по технологии Trench MOS TMBS® Vishay Диоды Шоттки
 2 120 60 0.7 800 320 150 TO-263CA
V60D100C Сдвоенный ограничительный диод Шоттки, выполненный по технологии Trench MOS TMBS® Vishay Диоды Шоттки
 2 100 60 0.66 1000 320 150 TO-263CA
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 88 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники