Компоненты группы Диоды Шоттки
|
Диод Шоттки (назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки) — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода, как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение промышленно выпускаемых диодов Шоттки ограничено 250 В (MBR40250 и аналоги), на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка нескольких десятков вольт. |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | VRRM В |
IF(AV) А |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| DSS6-0045AS | Силовой диод Шоттки |
|
IXYS |
Диоды Шоттки |
1 | 45 | 6 | 0.5 | 300 | 80 | 175 |
|
| DSS6-0025BS | Силовой диод Шоттки |
|
IXYS |
Диоды Шоттки |
1 | 25 | 6 | 0.3 | 6000 | 80 | 150 |
|
| IDD06SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
|
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 6 | 2.8 | 500 | 32 | 175 |
TO-252 |
| C3D03060E | Карбид-кремниевый диод Шоттки Z-Rec™ на 3А 600В |
|
CREE |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 3 | 2.4 | 100 | 26 | 175 |
TO-252 |
| C2D05120E | Карбид-кремниевый диод Шоттки на 5А 1200В |
|
CREE |
Диоды Шоттки |
1 | 1200 | 5 | 3 | 1000 | 30 | 175 |
TO-252 |
| IDD08SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
|
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 8 | 2.2 | 500 | 42 | 175 |
TO-252 |
| IDD09SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
|
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 9 | 2.2 | 800 | 49 | 175 |
TO-252 |
| CSD01060 | Карбид-кремниевый диод Шоттки на 1А 600В |
|
CREE |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 1.4 | 2.4 | 500 | 32 | 175 |
TO-220 TO-252 |
| IDD10SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
|
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 10 | 2.2 | 860 | 51 | 175 |
TO-252 |
| C3D04060E | Карбид-кремниевый диод Шоттки Z-Rec™ на 4А 600В |
|
CREE |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 4 | 2.4 | 100 | 31.9 | 175 |
TO-252 |
| IDD12SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
|
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 12 | 2.2 | 1000 | 59 | 175 |
TO-252 |
| IDD03SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
|
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 3 | 2.8 | 150 | 11.5 | 175 |
TO-252 |
| C3D02060E | Карбид-кремниевый диод Шоттки на 2А 600В |
|
CREE |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 2 | 2.4 | 100 | 21 | 175 |
TO-252 |
| IDD04SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
|
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 4 | 2.8 | 270 | 18 | 175 |
TO-252 |
| DSA15IM200UC | Высокопроизводительный диод Шоттки |
|
IXYS |
Диоды Шоттки |
1 | 200 | 15 | 0.78 | 250 | 80 | 175 |
TO-252 |
| IDD05SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
|
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 5 | 2.8 | 350 | 26 | 175 |
TO-252 |
| SBL2030PT | Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 30 | 20 | 0.68 | 2000 | 250 | 125 |
|
| DSSK80-006B | Силовой сдвоенный диод Шоттки, конфигурация с общим катодом |
|
IXYS |
Диоды Шоттки |
2 | 60 | 40 | 0.51 | 20000 | 600 | 150 |
|
| MBR4045PT | Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 45 | 40 | 0.8 | 2000 | 400 | 150 |
|
| V40100PG | Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 100 | 40 | 0.97 | 1000 | 250 | 150 |
|
