Компоненты группы Диоды Шоттки
|
Диод Шоттки (назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки) — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода, как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение промышленно выпускаемых диодов Шоттки ограничено 250 В (MBR40250 и аналоги), на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка нескольких десятков вольт. |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | VRRM В |
IF(AV) А |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| DSA300I200NA | Высокопроизводительный диод Шоттки |
|
IXYS |
Диоды Шоттки |
1 | 200 | 300 | 0.88 | 4000 | 3500 | 150 |
|
| TSS43U | Ограничительный диод Шоттки в корпусе для поверхностного монтажа, 0.2 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Ограничительные Диоды Диоды Шоттки |
1 | 30 | 0.2 | 1 | 0.5 | 4 | 125 |
|
| SR520 | Ограничительный диод Шоттки, 5 Ампер |
|
Taiwan Semiconductor |
Диоды Шоттки |
1 | 200 | 5 | 1.05 | 100 | 120 | 150 |
|
| BAS85 | Слабосигнальный диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 30 | 0.2 | 0.8 | 0.2 | 0.6 | 125 |
|
| IDH10S120 | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
|
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 1200 | 10 | 1.8 | 1000 | 58 | 175 |
TO-220 |
| VB20120SG | Высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 120 | 20 | 1.33 | 250 | 150 | 150 |
D2-PAK |
| MBRB7H45 | Ограничительный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышенной температуры перехода |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 45 | 7.5 | 0.63 | 50 | 150 | 175 |
D2-PAK |
| SB140A | Ограничительный диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 40 | 1 | 0.5 | 500 | 35 | 125 |
|
| SK14B | Ограничительный диод Шоттки в корпусе для моверхностного монтажа, 1 Ампер |
|
Taiwan Semiconductor |
Диоды Шоттки |
1 | 40 | 1 | 0.5 | 500 | 30 | 125 |
|
| SS2H10 | Высоковольтовый диод Шотки в корпусе для поверхностного монтажа. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 100 | 2 | 0.79 | 10 | 75 | 175 |
|
| B0530W | Ограничительный диод Шоттки, малое падение входного напряжения, 410 мВт |
|
Taiwan Semiconductor |
Ограничительные Диоды Диоды Шоттки |
1 | 30 | 0.5 | 0.43 | 130 | 5.5 | 125 |
|
| BAT54WT1 | Ограничительный диод Шоттки 30В |
|
ON Semiconductor |
Диоды Шоттки |
1 | 30 | 0.2 | 0.8 | 2 | 0.6 | 125 |
SOT-323 |
| SRA820 | Ограничительный диод Шоттки, 8 Ампер |
|
Taiwan Semiconductor |
Диоды Шоттки |
1 | 20 | 8 | 0.55 | 500 | 150 | 125 |
|
| LS101B | Слабосигнальный диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 50 | 0.03 | 0.95 | 0.2 | 2 | 125 |
|
| VF30120SG | Высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 120 | 30 | 1.28 | 500 | 220 | 150 |
|
| SBLB10L30 | Ограничительный диод Шотки с малым падением прямого напряжения |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 30 | 10 | 0.52 | 1000 | 200 | 150 |
D2-PAK |
| SB3H90 | Высоковольтный ограничительный диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 90 | 3 | 0.8 | 20 | 100 | 175 |
|
| SK310B | Ограничительный диод Шоттки в корпусе для моверхностного монтажа, 3 Ампера |
|
Taiwan Semiconductor |
Диоды Шоттки |
1 | 100 | 3 | 0.85 | 100 | 70 | 150 |
|
| NSR0320MW2T1 | Сильноточный ограничительный диод Шоттки |
|
ON Semiconductor |
Диоды Шоттки |
1 | 23 | 5 | 0.5 | 1000 | 1 | 125 |
SOD-323 |
| SRAF830 | Изолированный ограничительный диод Шоттки, 8 Ампер |
|
Taiwan Semiconductor |
Диоды Шоттки |
1 | 30 | 8 | 0.55 | 500 | 150 | 125 |
|
