Компоненты группы Диоды Шоттки

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Кол-во диодов
VRRM (В)
IF(AV) (А)
VF (макс.) (В)
IR (макс.) (мкА)
IFSM (макс.) (А)
TJ (макс.) (°C)
Корпус

Диод Шоттки (назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки) — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода, как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение промышленно выпускаемых диодов Шоттки ограничено 250 В (MBR40250 и аналоги), на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка нескольких десятков вольт.

Страницы: 1 2 3 4 5 ... 88 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Кол-во диодов VRRM
В
IF(AV)
А
VF (макс.)
В
IR (макс.)
мкА
IFSM (макс.)
А
TJ (макс.)
°C
Корпус
                         
IDH10SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 10 2.1 860 51 175 TO-220
IDD10SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 10 2.2 860 51 175 TO-252
IDH12SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 12 2.1 1000 59 175 TO-220
IDD12SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 12 2.2 1000 59 175 TO-252
IDH02SG120 SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 1200 2 2.55 400 12 175 TO-220
IDD03SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 3 2.8 150 11.5 175 TO-252
IDH03SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 3 2.3 150 11.5 175 TO-220
IDH05S120 SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 1200 5 1.8 1000 29 175 TO-220
IDD04SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 4 2.8 270 18 175 TO-252
IDH04SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 4 2.3 270 18 175 TO-220
IDH08S120 SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 1200 7.5 1.8 1000 39 175 TO-220
IDD05SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 5 2.8 350 26 175 TO-252
IDH05SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 5 2.3 350 26 175 TO-220
IDH10S120 SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 1200 10 1.8 1000 58 175 TO-220
IDD06SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 6 2.8 500 32 175 TO-252
IDH06SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 6 2.3 500 32 175 TO-220
IDH15S120 SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 1200 15 1.8 1500 78 175 TO-220
IDD08SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 8 2.2 500 42 175 TO-252
IDH08SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 8 2.1 700 42 175 TO-220
IDH09SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 9 2.1 800 49 175 TO-220
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 88 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019