Компоненты группы Диоды Шоттки

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Кол-во диодов
VRRM (В)
IF(AV) (А)
VF (макс.) (В)
IR (макс.) (мкА)
IFSM (макс.) (А)
TJ (макс.) (°C)
Корпус

Диод Шоттки (назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки) — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода, как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение промышленно выпускаемых диодов Шоттки ограничено 250 В (MBR40250 и аналоги), на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка нескольких десятков вольт.

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 88 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Кол-во диодов VRRM
В
IF(AV)
А
VF (макс.)
В
IR (макс.)
мкА
IFSM (макс.)
А
TJ (макс.)
°C
Корпус
                         
IDD09SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 9 2.2 800 49 175 TO-252
IDD08SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 8 2.2 500 42 175 TO-252
IDH12SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 12 2.1 1000 59 175 TO-220
IDH10SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 10 2.1 860 51 175 TO-220
IDH09SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 9 2.1 800 49 175 TO-220
IDH08SG60C SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 600 8 2.1 700 42 175 TO-220
FBS10-06SC Карбид кремниевый диод Шоттки IXYS Диоды Шоттки
4 600 3 1.9 200 12 175 ISOPLUS_i4
IDH15S120 SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 1200 15 1.8 1500 78 175 TO-220
IDH10S120 SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 1200 10 1.8 1000 58 175 TO-220
IDH08S120 SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 1200 7.5 1.8 1000 39 175 TO-220
IDH05S120 SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! Infineon Technologies Диоды Шоттки
1 1200 5 1.8 1000 29 175 TO-220
V60200PG Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный ограничительный диод Шотки Vishay Диоды Шоттки
2 200 60 1.8 400 300 150 TO-247AD
V60120C Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный ограничительный диод Шотки Vishay Диоды Шоттки
2 120 60 1.75 1000 300 150 TO-220AB
VI20200C Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки Vishay Диоды Шоттки
2 200 20 1.75 300 120 150 TO-262AA
VB20200C Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки Vishay Диоды Шоттки
2 200 20 1.75 300 120 150 D-PAK
VF20200C Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки Vishay Диоды Шоттки
2 200 20 1.75 300 120 150 ITO-220AB
V20200C Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки Vishay Диоды Шоттки
2 200 20 1.75 300 120 150 TO-220AB
FBS16-06SC Карбид кремниевый диод Шоттки IXYS Диоды Шоттки
4 600 5 1.6 200 20 175 ISOPLUS_i4
VI40150C Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки Vishay Диоды Шоттки
2 150 40 1.6 500 160 150 TO-262AA
VB40150C Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки Vishay Диоды Шоттки
2 150 40 1.6 500 160 150 D2-PAK
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 88 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019