Компоненты группы Диоды Шоттки
|
Диод Шоттки (назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки) — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода, как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение промышленно выпускаемых диодов Шоттки ограничено 250 В (MBR40250 и аналоги), на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка нескольких десятков вольт. |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | VRRM В |
IF(AV) А |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| DSSK60-015A | Силовой сдвоенный диод Шоттки, конфигурация с общим катодом |
|
IXYS |
Диоды Шоттки |
2 | 150 | 30 | 0.66 | 2000 | 600 | 175 |
|
| IDD08SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
|
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 8 | 2.2 | 500 | 42 | 175 |
TO-252 |
| MBRS20H150CT | Ограничительный диод Шоттки в корпусе для моверхностного монтажа, 20 Ампер |
|
Taiwan Semiconductor |
Диоды Шоттки |
2 | 150 | 20 | 0.97 | 5 | 150 | 175 |
D2-PAK |
| MBR30H100CTG | Сдвоенный, с общим катодом, диод Шоттки 100 Вольт, 30 Ампер (2 х 15А) |
|
ON Semiconductor |
Диоды Шоттки |
2 | 100 | 30 | 0.93 | 45 | 250 | 175 |
TO-220AB |
| MBR30H100PT | Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышенной температурой перехода |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 100 | 30 | 0.93 | 10 | 265 | 175 |
|
| MBR20H90CTG | Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 90 | 20 | 0.93 | 3.5 | 150 | 175 |
TO-220AB |
| C3D10060G | Карбид-кремниевый диод Шоттки Z-Rec™ на 10А 600В |
|
CREE |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 10 | 2.4 | 200 | 90 | 175 |
|
| SB2H100 | Высоковольтный ограничительный диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 100 | 2 | 0.79 | 10 | 75 | 175 |
|
| DSS16-01A | Силовой диод Шоттки |
|
IXYS |
Диоды Шоттки |
1 | 100 | 16 | 0.64 | 500 | 230 | 175 |
|
| MBRB25H45CT | Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 45 | 30 | 0.74 | 100 | 150 | 175 |
D2-PAK |
| DSSK50-015A | Силовой сдвоенный диод Шоттки, конфигурация с общим катодом |
|
IXYS |
Диоды Шоттки |
2 | 150 | 25 | 0.68 | 1500 | 450 | 175 |
|
| IDD06SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
|
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 6 | 2.8 | 500 | 32 | 175 |
TO-252 |
| MBRS20H100CT | Ограничительный диод Шоттки в корпусе для моверхностного монтажа, 20 Ампер |
|
Taiwan Semiconductor |
Диоды Шоттки |
2 | 100 | 20 | 0.95 | 5 | 150 | 175 |
D2-PAK |
| DSA80C45HB | Сдвоенный диод Шоттки, конфигурация с общим катодом |
|
IXYS |
Диоды Шоттки |
2 | 45 | 40 | 0.67 | 0.75 | 400 | 175 |
|
| MBRB30H60CTT4G | Сдвоенный диод Шоттки 60 Вольт, 30 Ампер (2 х 15А) |
|
ON Semiconductor |
Диоды Шоттки |
2 | 60 | 30 | 0.78 | 300 | 260 | 175 |
D2-PAK |
| SS1H10 | Высоковольтный диод Шотки в корпусе для поверхностного монтажа. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 100 | 1 | 0.77 | 1 | 50 | 175 |
|
| MBR30H90PT | Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышенной температурой перехода |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 90 | 30 | 0.93 | 10 | 265 | 175 |
|
| MBRB20H100CT | Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 100 | 20 | 0.88 | 4.5 | 250 | 175 |
D2-PAK |
| C3D10060A | Карбид-кремниевый диод Шоттки Z-Rec™ на 10А 600В |
|
CREE |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 10 | 2.4 | 200 | 90 | 175 |
TO-220 |
| DSSK16-01AS | Силовой сдвоенный диод Шоттки, конфигурация с общим катодом |
|
IXYS |
Диоды Шоттки |
2 | 100 | 8 | 0.63 | 300 | 120 | 175 |
|
