Компоненты группы Диоды Шоттки
|
Диод Шоттки (назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки) — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода, как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение промышленно выпускаемых диодов Шоттки ограничено 250 В (MBR40250 и аналоги), на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка нескольких десятков вольт. |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | VRRM В |
IF(AV) А |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| MBR30H100CT | Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 100 | 30 | 0.93 | 5 | 275 | 175 |
TO-220AB |
| DSB60C60PB | Высокопроизводительный сдвоенный диод Шоттки, конфигурация с общим катодом |
|
IXYS |
Диоды Шоттки |
2 | 60 | 30 | 0.69 | 20000 | 320 | 150 |
TO-220 |
| MBR2535CT | Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 35 | 30 | 0.82 | 200 | 150 | 150 |
TO-220AB |
| NTSB30100CT-1G | Управляемый выпрямитель на базе полевых транзисторов с диодами Шоттки |
|
ON Semiconductor |
Диоды Шоттки |
2 | 100 | 30 | 0.85 | 7.2 | 160 | 150 |
|
| V30120SG | Высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 120 | 30 | 1.28 | 500 | 220 | 150 |
TO-220AB |
| MBRB30H90CT | Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 90 | 30 | 0.93 | 5 | 275 | 175 |
D2-PAK |
| MBR30L120CT | Ограничительный диод Шоттки, 30 Ампер |
|
Taiwan Semiconductor |
Диоды Шоттки |
2 | 120 | 30 | 0.95 | 20 | 200 | 150 |
TO-220AB |
| NTST30100CTG | Управляемый выпрямитель на базе полевых транзисторов с диодами Шоттки |
|
ON Semiconductor |
Диоды Шоттки |
2 | 100 | 30 | 0.85 | 7.2 | 160 | 150 |
TO-220AB |
| VI30120C | Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 120 | 30 | 1.33 | 1600 | 150 | 150 |
|
| MBRF30H90CT | Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 90 | 30 | 0.93 | 5 | 275 | 175 |
|
| MBR30L100CT | Ограничительный диод Шоттки, 30 Ампер |
|
Taiwan Semiconductor |
Диоды Шоттки |
2 | 100 | 30 | 0.77 | 500 | 220 | 150 |
TO-220AB |
| VB30120C | Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 120 | 30 | 1.33 | 1600 | 150 | 150 |
D2-PAK |
| MBR30H90CT | Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 90 | 30 | 0.93 | 5 | 275 | 175 |
TO-220AB |
| MBR30L60CT | Ограничительный диод Шоттки, 30 Ампер |
|
Taiwan Semiconductor |
Диоды Шоттки |
2 | 60 | 30 | 0.6 | 480 | 220 | 150 |
TO-220AB |
| MBRS30H45CT | Ограничительный диод Шоттки в корпусе для моверхностного монтажа, 30 Ампер |
|
Taiwan Semiconductor |
Диоды Шоттки |
2 | 45 | 30 | 0.9 | 200 | 220 | 175 |
D2-PAK |
| VF30120C | Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 120 | 30 | 1.33 | 1600 | 150 | 150 |
|
| MBRB3045CT | Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 45 | 30 | 0.76 | 1000 | 200 | 150 |
D2-PAK |
| DSSK60-02AR | Силовой сдвоенный диод Шоттки, конфигурация с общим катодом |
|
IXYS |
Диоды Шоттки |
2 | 200 | 30 | 0.7 | 2000 | 600 | 175 |
|
| MBR30L45CT | Ограничительный диод Шоттки, 30 Ампер |
|
Taiwan Semiconductor |
Диоды Шоттки |
2 | 45 | 30 | 0.55 | 400 | 220 | 150 |
TO-220AB |
| MBRS3045CT | Ограничительный диод Шоттки в корпусе для моверхностного монтажа, 30 Ампер |
|
Taiwan Semiconductor |
Диоды Шоттки |
2 | 45 | 30 | 0.9 | 200 | 220 | 150 |
D2-PAK |
