Компоненты группы Биполярные

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Gain (тип.) (дБ)
Noise (дБ)
OIP3 (дБм)
P1dB (дБм)
VOUT (макс.) (В)
Корпус
Тестовая Частота (ГГц)

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: 1 2 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Gain (тип.)
дБ
Noise
дБ
OIP3
дБм
P1dB
дБм
VOUT (макс.)
В
Корпус Тестовая Частота
ГГц
                       
AT-41532 Малопотребляющий NPN кремниевый биполярный транзистор общего назначения Broadcom Limited NPN
15.5 1 25 14.5 - SOT-323
0.9
AT-41533 Малошумящий NPN кремниевый биполярный транзистор общего назначения Broadcom Limited NPN
14.5 1 25 14.5 - SOT-23-3
0.9
AT-41511 Малошумящий NPN кремниевый биполярный транзистор общего назначения Broadcom Limited NPN
15.5 1 25 14.5 - SOT-143
0.9
AT-32063 Малопотребляющий, высокоэффективный NPN кремниевый биполярный транзистор Broadcom Limited NPN
14.5 1.1 24 12 - SOT-363
0.9
AT-32033 Малопотребляющий, высокоэффективный NPN кремниевый биполярный транзистор Broadcom Limited NPN
12.5 1 24 13 - SOT-23-3
0.9
AT-32011 Малопотребляющий, высокоэффективный NPN кремниевый биполярный транзистор Broadcom Limited NPN
14 1 24 13 - SOT-143
0.9
AT-32032 Малопотребляющий, высокоэффективный NPN кремниевый биполярный транзистор Broadcom Limited NPN
15.5 1 23 13 - SOT-323
0.9
AT-31033 Малопотребляющий, высокоэффективный NPN кремниевый биполярный транзистор Broadcom Limited NPN
11 0.9 20 9 - SOT-23-3
0.9
AT-31011 Малопотребляющий, высокоэффективный NPN кремниевый биполярный транзистор Broadcom Limited NPN
13 0.9 20 9 - SOT-143
0.9
BFU725F Высокочастотный кремний-германиевый NPN транзистор с широкой полосой частот NXP NPN
18 0.7 19 8 2.8 SOT-343
5.8
AT-30511 Малопотребляющий, высокоэффективный NPN кремниевый биполярный транзистор Broadcom Limited NPN
16 1.1 17 7 - SOT-143
0.9
AT-30533 Малопотребляющий, высокоэффективный NPN кремниевый биполярный транзистор Broadcom Limited NPN
13 1.1 17 7 - SOT-23-3
0.9
BFU768F Кремний-германиевый сверхвысокочастотный NPN-транзистор для широкополосных схем NXP NPN
13.1 0.5 15.7 3.9 10 SOT-343
5.9
PBSM5240PF 40 В, 2A PNP транзистор с низким VCEsat (BISS), N-каналом Trench MOSFET NXP MOSFET
PNP
- - - - - DFN2020B-6
-
AT-64023 Мощный NPN кремниевый биполярный транзистор Broadcom Limited NPN
12.5 - - 27.5 - 230 mil BeO SM
2
AT-64020 Мощный NPN кремниевый биполярный транзистор Broadcom Limited NPN
10 - - 28 - 200 mil BeO SM
2
AT-64000 Мощный NPN кремниевый биполярный транзистор Broadcom Limited NPN
12.5 - - 27.5 - 230 mil BeO Chip
2
AT-42086 NPN кремниевый биполярный транзистор средней мощности Broadcom Limited NPN
13 1.9 - 20.5 - 86 mil Plastic SM
2
AT-42085 NPN кремниевый биполярный транзистор средней мощности Broadcom Limited NPN
13.5 1.9 - 20.5 - 86 mil Plastic SM
2
AT-42070 NPN кремниевый биполярный транзистор средней мощности Broadcom Limited NPN
14 1.9 - 21 - 70 mil SM
2
Страницы: 1 2 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019