Компоненты группы NVSRAM
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | ICC(STB) мкА |
ICC мА |
Время выборки нс |
VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| DS3030W | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб, напряжением 3.3В и встроенным RTC |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
32 | 8 | 5000 | 50 | 100 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| DS3045W | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
128 | 8 | 5000 | 50 | 100 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| DS3050W | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 5000 | 50 | 100 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| DS3065W | Энергонезависимая SRAM объемом 8Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
1024 | 8 | 5000 | 50 | 100 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| DS3070W | Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В и встроенным RTC |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 5000 | 50 | 100 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| M440T1MV | Энергонезависимая SRAM объемом 32Мб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
1024 | 32 | 3000 | 210 | 85 | 3 ... 3.6 | -15 ... 75 |
|
| M48T02 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 3000 | 80 | 70 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| M48T08 | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 3000 | 80 | 100 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |
| M48T08Y | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 3000 | 80 | 100 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
SOH-28 |
| M48T12 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 3000 | 80 | 70 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| M48T128V | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 3000 | 50 | 85 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| M48T128Y | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 4000 | 95 | 70 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| M48T129V | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 3000 | 50 | 85 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| M48T129Y | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 4000 | 95 | 70 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| M48T18 | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 3000 | 80 | 100 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |
| M48T35 | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 2000 | 50 | 70 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |
| M48T35AV | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 2000 | 30 | 100 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 SOH-28 |
| M48T35Y | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 2000 | 30 | 70 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
PCDIP-28 SOH-28 |
| M48T37V | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 2000 | 33 | 100 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| M48T37Y | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 3000 | 50 | 70 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
