Компоненты группы NVSRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
ICC(STB) (мкА)
ICC (мА)
Время
выборки (нс)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация ICC(STB)
мкА
ICC
мА
Время
выборки
нс
VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                         
DS1265W Энергонезависимая SRAM емкостью 8 Мб с напряжением питания 3,3 В Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-36
DS1744W Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
32 8 2000 30 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-28
PCM-34
DS1345W Энергонезависимая SRAM емкостью 1024К со встроенной литиевой батареей и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PCM-34
M48Z18 Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
8 8 3000 80 100 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
DS2045AB Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 1Мб Maxim Integrated NVSRAM
128 8 5000 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 PBGA-256
DS1744 Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
32 8 4000 75 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-28
PCM-34
DS1330W Энергонезависимая SRAM емкостью 256К со встроенной литиевой батареей и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
32 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PCM-34
M48Z08 Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
8 8 3000 80 100 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
DS2030W Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 256Кб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
32 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1743W Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
8 8 2000 30 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-28
PCM-34
M48Z02 Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
2 8 3000 80 70 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-24
DS2030Y Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 256Кб Maxim Integrated NVSRAM
32 8 5000 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PBGA-256
DS1743 Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
8 8 3000 50 85 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-28
PCM-34
M48Z12 Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
2 8 3000 80 70 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-24
DS2030AB Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 256Кб Maxim Integrated NVSRAM
32 8 5000 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 PBGA-256
DS1742W Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
2 8 1000 30 120 3 ... 3.6 0 ... 70 MOD-24
DS1250W Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кб и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
512 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS2045W Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 1Мб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1742 Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
2 8 3000 50 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-24
DS1245W Энергонезависимая SRAM емкостью 1024Кб и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019