Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 ... 54 55 56 57 58 59 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
KFH2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
K9K8G08U0A 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
KFM4GH6Q4M 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
NAND02GW4B2D 2Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
HY27UF161G2A 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 TSOPI-48
KFW4G16Q2M 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
K9KAG08U1M 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 ULGA-52
KFWAGH6U4M 16Гбит (1024М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
NAND02GR4B2D 2Гбит 1.8-вольтовая 16-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
HY27UF081G2A 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
KFH4G16Q2A 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
HT24LC04 CMOS последовательная EEPROM с интерфесом I2C, объем памяти 4 кБит Holtek SEEPROM
4 - 2.4 ... 5.5 -40 ... 85 DIP-8
SOIC-8
SRT512 Микросхемы памяти с бесконтактным доступом на коротком расстоянии работают на частоте 13.56 МГц и интегрируют 512 бит EEPROM и функции защиты от коллизий STMicroelectronics Память
- - 2.5 ... 3.5 -40 ... 85 Wafer
K9F8G08U0M 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
KFWAGH6Q4M 16Гбит (1024М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
NAND02GW3B2D 2Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
KFG2G16Q2A 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
K9F8G08B0M 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.5 ... 2.9 -40 ... 85 TSOPI-48
KFH8GH6U4M 8Гбит (512М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
NAND02GR3B2D 2Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 FBGA-63
Страницы: предыдущая 1 ... 54 55 56 57 58 59 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019