Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
KFH2G16Q2M | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9K8G08U0A | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
KFM4GH6Q4M | 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
NAND02GW4B2D | 2Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
|
HY27UF161G2A | 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
KFW4G16Q2M | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9KAG08U1M | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |
|
KFWAGH6U4M | 16Гбит (1024М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
NAND02GR4B2D | 2Гбит 1.8-вольтовая 16-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
|
HY27UF081G2A | 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
|
KFH4G16Q2A | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
HT24LC04 | CMOS последовательная EEPROM с интерфесом I2C, объем памяти 4 кБит | Holtek |
SEEPROM |
4 | - | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
DIP-8 SOIC-8 |
|
SRT512 | Микросхемы памяти с бесконтактным доступом на коротком расстоянии работают на частоте 13.56 МГц и интегрируют 512 бит EEPROM и функции защиты от коллизий | STMicroelectronics |
Память |
- | - | 2.5 ... 3.5 | -40 ... 85 |
|
|
K9F8G08U0M | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
|
KFWAGH6Q4M | 16Гбит (1024М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
NAND02GW3B2D | 2Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
|
KFG2G16Q2A | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9F8G08B0M | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.5 ... 2.9 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
KFH8GH6U4M | 8Гбит (512М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
NAND02GR3B2D | 2Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |