Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| K9F8G08B0M | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.5 ... 2.9 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IDT7200L50TP | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 50 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| KFH8GH6U4M | 8Гбит (512М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| CY7C4265–15AXC | Синхронная FIFO организацией 16K x 18, 15 нс, 0°C...+70°C |
|
Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 18 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
TQFP-64 |
| NAND02GR3B2D | 2Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| HY27SF161G2A | 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
| IDT72V81L15PA | Сдвоенная 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 512 x 9 бит х 2, 15 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSSOP-56 |
| KFN4G16Q2A | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| AT25DQ161 | 16 Мбит, последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт) стирание, побайтовая или постраничная (1...256 байт) запись, функция записи/чтения четырех бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| M45PE80 | 8Мб, 50МГц низкопотребляющая постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| AT45DB041D | 2.5 В или 2.7 В, 4 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® |
|
Adesto Technologies |
DataFlash |
- | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 VDFN-8 |
| K9K8G08U1A | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |
| IDT7200L50SO | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 50 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
SOIC-28 |
| KFH8GH6Q4M | 8Гбит (512М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| TC58NVG1S3CBAJX | 256М х 8 бит NAND FLASH |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| CY7C4265–10AXI | Синхронная FIFO организацией 16K x 18, 10 нс, -40°C...+85°C |
|
Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 18 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TQFP-64 |
| NAND01GW3B2C | 1Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| HY27SF081G2A | 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
| AT45DQ321 | 32 Мбит (+1 Мбит), последовательная DataFlash память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.3 В, постраничное/поблочное/посекторное стирание, побайтовая/постраничная (512 байт) запись, функция записи/чтения двух или четырех бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 UBGA-9 |
| M45PE40 | 2Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
