Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 ... 54 55 56 57 58 59 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
DS1743 Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
8 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-28
PCM-34
IDT7200L50J Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 50 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PLCC-32
IS61C5128AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 ISSI High Speed SRAM
512 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOJ-36 (400mil)
SOP-32
TSOPI-32
TSOPII-32
TSOPII-44
CY62128E Статическая память 128К х 8 Cypress Low Power SRAM
128 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOIC-32
TSOP-32
CY7C4265–10ASXC Синхронная FIFO организацией 16K x 18, 10 нс, 0°C...+70°C Cypress Синхронная FIFO
- 18 4.5 ... 5.5 0 ... 70 TQFP-64
IDT71256SA Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) IDT High Speed SRAM
32 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 DIP-28
SOJ-28 (300mil)
TSOP-28
IDT7200L20TP Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 20 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 0 ... 70 SDIP-28
IS61C5128AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 ISSI High Speed SRAM
512 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-36 (400mil)
SOP-32
TSOPI-32
TSOPII-32
TSOPII-44
1636РР5У 1М (128Кх8), микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
128 8 4.5 ... 5.5 -60 ... 125 Н14.42-1В
CY7C4271-15AXC Синхронная FIFO организацией 32K x 9, 15 нс, 0°C...+70°C Cypress Синхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 0 ... 70 TQFP-32
IDT71256L Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) IDT High Speed SRAM
32 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 5.585 PDIP-28
DIP-28
PLCC-32
SOJ-28 (300mil)
M48Z12 Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
2 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-24
W26020A Высокоскоростная ИС статической памяти 128К х 16 Winbond High Speed SRAM
128 16 4.75 ... 5.25 0 ... 70 TSOP-44
W26010A Высокоскоростная ИС статической памяти 64К х 16 Winbond High Speed SRAM
64 16 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 SOJ-44
TSOP-44
DS1350AB Энергонезависимая SRAM емкостью 4096К со встроенной литиевой батареей Maxim Integrated NVSRAM
512 8 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 PCM-34
DS1345AB Энергонезависимая SRAM емкостью 1024К со встроенной литиевой батареей Maxim Integrated NVSRAM
128 8 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 PCM-34
M48T58 Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
8 8 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
DS1330AB Энергонезависимая SRAM емкостью 256К со встроенной литиевой батареей Maxim Integrated NVSRAM
32 8 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 PCM-34
W24257Q Малопотребляющая статическая память 32Кх8 Winbond Low Power SRAM
32 8 4.75 ... 5.25 0 ... 70 TSOP28
M48T35 Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
32 8 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
Страницы: предыдущая 1 ... 54 55 56 57 58 59 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019