Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 ... 54 55 56 57 58 59 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
S30MS02GR 2Гбит (256М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 TSOPI-48
S30MS04GR 4Гбит (512М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 TSOPI-48
S30MS04GR 4Гбит (256М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 TSOPI-48
S30MS512P 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 FBGA-137
TSOPI-48
S30MS512P 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 FBGA-137
TSOPI-48
S30MS512R 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 TSOPI-48
S30MS512R 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 TSOPI-48
S34SL01G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 1 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-63
S34SL02G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-63
S34SL04G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-63
SM28VLT32-HT Микросхема FLASH памяти объемом 32 Мбит с последовательным интерфейсом (SPI) для жестких условий эксплуатации Texas Instruments Serial Flash
- 16 3 ... 3.6 -55 ... 210 CFP-14
SRT512 Микросхемы памяти с бесконтактным доступом на коротком расстоянии работают на частоте 13.56 МГц и интегрируют 512 бит EEPROM и функции защиты от коллизий STMicroelectronics Память
- - 2.5 ... 3.5 -40 ... 85 Wafer
TC58CVG0S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит Toshiba NAND Flash
- - 3 ... 3.3 -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CVG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
- - 3 ... 3.3 -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CVG2S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит Toshiba NAND Flash
- - 3 ... 3.3 -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CYG0S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит Toshiba NAND Flash
- - 1.675 ... 1.8 -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CYG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
- - 1.675 ... 1.8 -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CYG2S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит Toshiba NAND Flash
- - 1.675 ... 1.8 -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58DVG02A3TA00 128М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 TSOPI-48
TC58DVM92A3BAJW 64М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
Страницы: предыдущая 1 ... 54 55 56 57 58 59 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019