Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| M48Z35 | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |
| M48T37Y | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| M48T02 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| M48Z128Y | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| M24C64-F | EEPROM 64кбит с интерфейсом I²C |
|
STMicroelectronics |
EEPROM |
8 | 8 | 1.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSSOP-8 |
| M48T129V | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| M48Z35Y | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 SOH-28 |
| M24LR64-R | 64 кБит EEPROM-память с двойным доступом для устройст радиочастотной идентификации (RFID) |
|
STMicroelectronics |
EEPROM |
8 | 8 | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 TSSOP-8 |
| M48T58Y | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 SOH-28 |
| M48T12 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| M48Z128V | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| M24LR16E-R | 16Кб EEPROM с защитой пароля, двойным интерфейсом и фукнкцией аккумуляции энергии |
|
STMicroelectronics |
RFID EEPROM |
2 | 512 | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 TSSOP-8 |
| M48T35 | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |
| M48Z512A | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.75 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| M95M02-A125 | Микросхема последовательный EEPROM-памяти объемом 2Мб, интерфейс SPI, для автомобильный приложений |
|
STMicroelectronics |
EEPROM |
1024 | 256 | 2.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
| SM28VLT32-HT | Микросхема FLASH памяти объемом 32 Мбит с последовательным интерфейсом (SPI) для жестких условий эксплуатации |
|
Texas Instruments |
Serial Flash |
- | 16 | 3 ... 3.6 | -55 ... 210 |
|
| TC58NVG0S3CTA00 | 128М х 8 бит NAND FLASH |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
| TC58CVG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 3 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
| TC58NVG0S3CBAJ5 | 128М х 8 бит NAND FLASH |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| TC58CYG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 |
|
