Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска


Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
A67L16181 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 2Мх18 AMIC Technology High Speed SRAM
2048 18 3.135 ... 3.465 -25 ... 85 LQFP-100
A67X1618A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 2Мх18 AMIC Technology High Speed SRAM
2048 18 2.375 ... 3.465 -25 ... 85 LQFP-100
IS66WVE2M16BLL Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 2048Kх16 ISSI High Speed SRAM
2048 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
TFBGA-48
A67L1618 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 2Мх18 AMIC Technology High Speed SRAM
2048 18 2.7 ... 3.6 0 ... 70 LQFP-100
DS1270Y Энергонезависимая SRAM емкостью 16Мб Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-36
DS1270AB Энергонезависимая SRAM емкостью 16Мб Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-36
MB85RDP16LX Ферроэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM) объемом 16 Кбит со сверхнизким энергопотреблением и интегрированной функцией счётчика Fujitsu Microelectronics FRAM
2048 8 1.65 ... 1.95 -40 ... 105 SON-8
IS64WV204816BLL Быстродействующая асинхронная статическая RAM-память объемом 32 Мбит с напряжением питания 3.3 В ISSI High Speed SRAM
2048 16 2.4 ... 3.6 -40 ... 125 BGA-48
TSOP-48
IS61QDB22M36 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 72Мб (2Mx36) ISSI High Speed SRAM
2048 36 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
IS61WV204816BLL Быстродействующая асинхронная статическая RAM-память объемом 32 Мбит с напряжением питания 3.3 В ISSI High Speed SRAM
2048 16 2.4 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
TSOP-48
DS3070W Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В и встроенным RTC Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS2070W Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
IS61QDB42M36 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 72Мб (2Mx36) ISSI High Speed SRAM
2048 36 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
IS61QDB22M18 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (2Mx18) ISSI High Speed SRAM
2048 18 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
R1LV3216R-7S 32 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (2M x 16 бит / 4M x 8 бит) Renesas Low Power SRAM
2048 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
?TSOP-52
R1LV3216R-5S 32 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (2M x 16 бит / 4M x 8 бит) Renesas Low Power SRAM
2048 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
?TSOP-52
IS61QDB42M18 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (2Mx18) ISSI High Speed SRAM
2048 18 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
R1WV3216R-8S 32 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM Renesas Low Power SRAM
2048 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 ?TSOP-52
FBGA-48
MR4A08B Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 2M х 8 бит - Everspin Technologies MRAM
2048 8 3 ... 3.6 - BGA-48
TSOPII-44
BS62LV1600 Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
2048 8 2.4 ... 5.5 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019