Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| K6R4008C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| GS74108A | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512K x 8) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| GS72108A | Асинхронная статическая память объемом 2Мб (256Kx8) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
256 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS64C6416AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| K6R4016C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61C25616AS | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| IS61WV6416BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кx16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| GS72116A | Асинхронная статическая память объемом 2Мб (128Kx16) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| W26010A | Высокоскоростная ИС статической памяти 64К х 16 |
|
Winbond |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
|
| AS7C3513C | Асинхронная статическая память 32К х 16 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
32 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| GS74116A | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Kx16) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AS7C31026B | Асинхронная статическая память 64Кх16 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AS7C34098A | Асинхронная статическая память 256Кх16 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS65C6416AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| IDT71V424S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| AS7C513B | Асинхронная статическая память 32Кх16 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
32 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| GS71116A | Асинхронная память объемом 1Мб (64Kx16) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 2.7 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
| IS61C3216AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
32 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
