Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
TC58CVG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 3 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
|
NAND08GR3B2C | 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |
|
CYF1072V | FIFO с высокой плотностью памяти объемом 72 Мбит | Cypress |
FIFO |
- | - | 1.7 ... 1.9 | -40 ... 85 |
|
|
AT93C56A | 3-х проводная SEEPROM с объемом памяти 2K (256 x 8 или 128 x 16) | Atmel Corporation |
SEEPROM |
2 | - | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
|
HY27UF162G2B | 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
KFN2G16Q2M | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9L8G08U1A | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |
|
MT29H32G08 | 32Гбит (4096М х 8 бит) High Speed NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TBGA-100 |
|
TC58CYG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 |
|
|
NAND04GW3B2D | 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
|
CYF1036V | FIFO с высокой плотностью памяти объемом 36 Мбит | Cypress |
FIFO |
- | - | 1.7 ... 1.9 | -40 ... 85 |
|
|
AT93C46E | 3-х проводная SEEPROM с объемом памяти 1K (64 x 16) | Atmel Corporation |
SEEPROM |
1 | - | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
|
HY27UF082G2B | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 ULGA-52 |
|
KFM1G16Q2M | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9G4G08U0A | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
|
MT29H16G08 | 16Гбит (2048М х 8 бит) High Speed NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
VBGA-100 |
|
TC58CVG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 3 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
|
CYF1018V | FIFO с высокой плотностью памяти объемом 18 Мбит | Cypress |
FIFO |
- | - | 1.7 ... 1.9 | -40 ... 85 |
|
|
AT93C46D | 3-х проводная SEEPROM с объемом памяти 1К и поддержкой формата данных x8 или x16 | Atmel Corporation |
SEEPROM |
1 | - | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
|
HY27UF162G2A | 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |