Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска


Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
KFN8GH6Q4M 8Гбит (512М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
1645РУ5У Микросхема асинхронного статического ОЗУ объемом 4Мбит (512К х 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов Миландр Асинхронная FIFO
- 8 3 ... 5.5 -60 ... 125 5134.64-6
CY7C4281V-10JXC Синхронная FIFO организацией 64K x 9, 10 нс, 0°C...+70°C Cypress Синхронная FIFO
- 9 3 ... 3.6 0 ... 70 PLCC-32
NAND04GW3B2B 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
HY27SF082G2B 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 0 ... 70 TSOPI-48
IDT72V83L15PA Сдвоенная 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 2K x 9 бит х 2, 15 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 3 ... 3.6 0 ... 70 TSSOP-56
KFH2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
AT45DB161D 2.5 В или 2.7 В, 16 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.5 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-24
SOIC-8
VDFN-8
TSOP-28
CY7C421–20JXI Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 20 нс, -40°C...+85°C Cypress Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PLCC-32
K9K8G08U0A 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
IDT7201LA12SO Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 12 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 0 ... 70 SOIC-28
KFM4GH6Q4M 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
CY7C4271V-10JXC Синхронная FIFO организацией 32K x 9, 10 нс, 0°C...+70°C Cypress Синхронная FIFO
- 9 3 ... 3.6 0 ... 70 PLCC-32
NAND02GW4B2D 2Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
HY27UF161G2A 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 TSOPI-48
IDT72V82L15PA Сдвоенная 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 1K x 9 бит х 2, 15 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 3 ... 3.6 0 ... 70 TSSOP-56
KFW4G16Q2M 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
AT45DB081D 2.5 В или 2.7 В, 8 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.5 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-8
VDFN-8
SOIC (EIAJ) 8
CY7C421–20VXC Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 20 нс, 0°C...+70°C Cypress Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 0 ... 70 SOJ-28 (300mil)
K9KAG08U1M 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 ULGA-52




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019