Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
KFN8GH6Q4M | 8Гбит (512М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
1645РУ5У | Микросхема асинхронного статического ОЗУ объемом 4Мбит (512К х 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов | Миландр |
Асинхронная FIFO |
- | 8 | 3 ... 5.5 | -60 ... 125 |
5134.64-6 |
|
CY7C4281V-10JXC | Синхронная FIFO организацией 64K x 9, 10 нс, 0°C...+70°C | Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
|
NAND04GW3B2B | 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
HY27SF082G2B | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
IDT72V83L15PA | Сдвоенная 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 2K x 9 бит х 2, 15 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSSOP-56 |
|
KFH2G16Q2M | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
AT45DB161D | 2.5 В или 2.7 В, 16 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® | Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
BGA-24 SOIC-8 VDFN-8 |
|
CY7C421–20JXI | Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 20 нс, -40°C...+85°C | Cypress |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
K9K8G08U0A | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
IDT7201LA12SO | Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 12 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
SOIC-28 |
|
KFM4GH6Q4M | 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
CY7C4271V-10JXC | Синхронная FIFO организацией 32K x 9, 10 нс, 0°C...+70°C | Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
|
NAND02GW4B2D | 2Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
|
HY27UF161G2A | 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
IDT72V82L15PA | Сдвоенная 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 1K x 9 бит х 2, 15 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSSOP-56 |
|
KFW4G16Q2M | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
AT45DB081D | 2.5 В или 2.7 В, 8 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® | Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 VDFN-8 |
|
CY7C421–20VXC | Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 20 нс, 0°C...+70°C | Cypress |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
K9KAG08U1M | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |