Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
AT34C02C Automotive | 2-х проводная SEEPROM с постоянной и обратимой программной защитой записи и объемом памяти 2К | Atmel Corporation |
SEEPROM |
2 | 8 | 2.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
|
AT24HC02B Automotive | 2-х проводная SEEPROM с расширенным температурным диапазоном и объемом памяти 2К | Atmel Corporation |
SEEPROM |
2 | 8 | 2.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
|
AT45DB161E | 2.3 В или 2.5 В, 16 Мбит (+ 512 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® | Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 UBGA-9 |
|
AT45DB321E | 2.3 В или 2.5 В, 32 Мбит (+ 1 Мбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® | Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 UBGA-9 |
|
AT45DB161D | 2.5 В или 2.7 В, 16 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® | Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
BGA-24 SOIC-8 VDFN-8 |
|
AT45DB321D | 2.5 В или 2.7 В, 32 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® | Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
BGA-24 SOIC-8 VDFN-8 |
|
AT45DB041D | 2.5 В или 2.7 В, 4 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® | Adesto Technologies |
DataFlash |
- | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 VDFN-8 |
|
AT45DB081D | 2.5 В или 2.7 В, 8 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® | Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 VDFN-8 |
|
AT45DB011D | 2.7 В, 1 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® | Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
|
AT45DB021D | 2.7 В, 2 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® | Adesto Technologies |
DataFlash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
|
IS25LP256 | 256 Мб Flash-память с последовательным доступом, 166 МГц, интерфейс с удвоенной скоростью передачи данных | ISSI |
NOR Flash |
- | - | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
SOIC-16 |
|
HY27SS16561A | 256 Мбит (16М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
|
HY27US16561A | 256 Мбит (16М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
|
HY27SS08561A | 256 Мбит (32М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
|
HY27US08561A | 256 Мбит (32М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
|
K9F5608R0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9F5608D0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.4 ... 2.9 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
|
K9F5608U0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 WSOPI-48 |
|
EV2A16AV | 256K x 16 бит, 3.3 Вольт, асинхронная магниторезистивная RAM (MRAM) память | e2v |
MRAM |
256 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 110 |
|
|
EV2A16AM | 256K x 16 бит, 3.3 Вольт, асинхронная магниторезистивная RAM (MRAM) память | e2v |
MRAM |
256 | 16 | 3 ... 3.6 | -55 ... 125 |
|