Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска


Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
KFN2G16Q2A 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
K9G4G08B0A 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.5 ... 2.9 -40 ... 85 TSOPI-48
MT29H8G08 8Гбит (1024М х 8 бит) High Speed NAND Flash Micron NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 VBGA-100
TC58CYG0S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит Toshiba NAND Flash
- - 1.675 ... 1.8 -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
NAND04GR3B2D 4Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 ULGA-52
CYF0018V FIFO с высокой плотностью памяти объемом 18 Мбит Cypress FIFO
- - 1.7 ... 1.9 -40 ... 85 FBGA-209
AT93C46A 3-х проводная SEEPROM с объемом памяти 1K (64 x 16) Atmel Corporation SEEPROM
1 - 1.8 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-8
HY27UF082G2A 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 TSOPI-48
ULGA-52
KFM1G16Q2A 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
K9NBG08U5A 32 Гбит (4096М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
KFKAGH6Q4M 16Гбит (1024М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
TC58CVG0S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит Toshiba NAND Flash
- - 3 ... 3.3 -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
NAND08GW3B2A 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
AT93C46 3-х проводная SEEPROM с объемом памяти 1К Atmel Corporation SEEPROM
1 - 1.8 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-8
HY27SF162G2B 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 0 ... 70 TSOPI-48
KFG1G16Q2M 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
K9WAG08U1A 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TLGA-52
TSOPI-48
KFN8GH6Q4M 8Гбит (512М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
NAND04GW3B2B 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
HY27SF082G2B 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 0 ... 70 TSOPI-48




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019