Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска


Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
TC58CVG2S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит Toshiba NAND Flash
- - 3 ... 3.3 -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
NAND08GR3B2C 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 ULGA-52
CYF1072V FIFO с высокой плотностью памяти объемом 72 Мбит Cypress FIFO
- - 1.7 ... 1.9 -40 ... 85 FBGA-209
AT93C56A 3-х проводная SEEPROM с объемом памяти 2K (256 x 8 или 128 x 16) Atmel Corporation SEEPROM
2 - 1.8 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-8
HY27UF162G2B 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 TSOPI-48
KFN2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
K9L8G08U1A 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 ULGA-52
MT29H32G08 32Гбит (4096М х 8 бит) High Speed NAND Flash Micron NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 TBGA-100
TC58CYG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
- - 1.675 ... 1.8 -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
NAND04GW3B2D 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
CYF1036V FIFO с высокой плотностью памяти объемом 36 Мбит Cypress FIFO
- - 1.7 ... 1.9 -40 ... 85 FBGA-209
AT93C46E 3-х проводная SEEPROM с объемом памяти 1K (64 x 16) Atmel Corporation SEEPROM
1 - 1.8 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-8
HY27UF082G2B 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
ULGA-52
KFM1G16Q2M 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
K9G4G08U0A 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
MT29H16G08 16Гбит (2048М х 8 бит) High Speed NAND Flash Micron NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 VBGA-100
TC58CVG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
- - 3 ... 3.3 -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
CYF1018V FIFO с высокой плотностью памяти объемом 18 Мбит Cypress FIFO
- - 1.7 ... 1.9 -40 ... 85 FBGA-209
AT93C46D 3-х проводная SEEPROM с объемом памяти 1К и поддержкой формата данных x8 или x16 Atmel Corporation SEEPROM
1 - 1.8 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-8
HY27UF162G2A 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 TSOPI-48




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019