Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
S30MS04GR | 4Гбит (256М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R | Spansion |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
MTFDDAK256MBD | Твердотельный накопитель данных объемом 256 ГБ | Micron |
Твердотельные диски NAND Flash+PSRAM |
- | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 | - | |
HY27US16121B | 512 Мбит (32М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
KFK8G16Q2M | 8Гб (512М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9F5608D0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.4 ... 2.9 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
|
KFG1216D2M | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.4 ... 2.9 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
S34SL01G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 1 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи | Cypress |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
TC58DVM92A3BAJW | 64М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
NAND01GW4A2B | 1Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
S30MS04GR | 4Гбит (512М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R | Spansion |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
MTFDDAK128MBD | Твердотельный накопитель данных объемом 128 ГБ | Micron |
Твердотельные диски NAND Flash+PSRAM |
- | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 | - | |
HY27US08121B | 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
|
KFN4G16Q2M | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFG1216Q2M | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
TC58DVG02A3TA00 | 128М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
NAND01GW3A2B | 1Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
S30MS02GR | 2Гбит (128М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R | Spansion |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
MTFDDAK064MBD | Твердотельный накопитель данных объемом 64 ГБ | Micron |
Твердотельные диски NAND Flash+PSRAM |
- | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 | - | |
HY27US16561A | 256 Мбит (16М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
|
KFM2G16Q2M | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |