Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| KFK8G16Q2M | 8Гб (512М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| AT25DF081 | 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| M25PE80 | 8Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| K9F5608D0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.4 ... 2.9 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
| IDT7200L35J | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 35 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| KFG1216D2M | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.4 ... 2.9 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| S34SL01G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 1 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи |
|
Cypress |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| TC58DVM92A3BAJW | 64М х 8 бит NAND FLASH |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| CY7C4285V–10ASXC | Синхронная FIFO организацией 64K x 18, 10 нс, 0°C...+70°C |
|
Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 18 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TQFP-64 |
| NAND01GW4A2B | 1Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| S30MS04GR | 4Гбит (512М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R |
|
Spansion |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 |
TSOPI-48 |
| MTFDDAK128MBD | Твердотельный накопитель данных объемом 128 ГБ |
|
Micron |
Твердотельные диски NAND Flash+PSRAM |
- | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 | - |
| HY27US08121B | 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
| IDT72V05L25JI | 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 8K x 9, 25 нс, -40°C...+85°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| KFN4G16Q2M | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| AT25DF641A | 64 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| M25PE40 | 4Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| AT26DF321 | Flash память для хранения программного кода из семейства DataFlash емкостью 32 Мбит, напряжением питания 2.7В и последовательным интерфейсом доступа |
|
Atmel Corporation |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-16 SOIC-8 VDFN-8 |
| IDT7200L35SO | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 35 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
SOIC-28 |
| KFG1216Q2M | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
