Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
KFG1G16Q2C 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
NAND08GR3B4C 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 ULGA-52
CYF0072V FIFO с высокой плотностью памяти объемом 72 Мбит Cypress FIFO
- 36 1.7 ... 1.9 -40 ... 85 FBGA-209
IS62WV6416ALL Малопотребляющее статическое ОЗУ 64Кх16 ISSI High Speed SRAM
64 16 1.7 ... 2.2 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
KFM1G16Q2C 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
CYF0036V FIFO с высокой плотностью памяти объемом 36 Мбит Cypress FIFO
- - 1.7 ... 1.9 -40 ... 85 FBGA-209
AT34C02C 2-х проводная SEEPROM с объемом памяти 2К и постоянной и обратимой программной защитой записи Atmel Corporation SEEPROM
2 8 1.7 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-8
NAND08GR3B2C 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 ULGA-52
CYF1072V FIFO с высокой плотностью памяти объемом 72 Мбит Cypress FIFO
- - 1.7 ... 1.9 -40 ... 85 FBGA-209
KFN2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
AT34C02B 2-х проводная SEEPROM с объемом памяти 2К и постоянной программной защитой записи Atmel Corporation SEEPROM
2 8 1.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-8
CYF1036V FIFO с высокой плотностью памяти объемом 36 Мбит Cypress FIFO
- - 1.7 ... 1.9 -40 ... 85 FBGA-209
KFM1G16Q2M 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
CYF1018V FIFO с высокой плотностью памяти объемом 18 Мбит Cypress FIFO
- - 1.7 ... 1.9 -40 ... 85 FBGA-209
KFN2G16Q2A 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
NAND04GR3B2D 4Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 ULGA-52
CYF0018V FIFO с высокой плотностью памяти объемом 18 Мбит Cypress FIFO
- - 1.7 ... 1.9 -40 ... 85 FBGA-209
KFM1G16Q2A 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
KFKAGH6Q4M 16Гбит (1024М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
HY27SF162G2B 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 0 ... 70 TSOPI-48
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019