Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| KFM1216Q2B | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| S30MS01GP | 1Гбит (128М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P |
|
Spansion |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 |
FBGA-137 TSOPI-48 |
| AT24MAC602 | Семейство микросхем последовательной EEPROM памяти объемом 2Кб, содержит 64-битные адреса идентификации узла MAC и EUI, 128-битные предустановленные серийные номера |
|
Atmel Corporation |
EEPROM |
256 | 8 | 1.7 ... 5.5 | -55 ... 125 |
SOIC-8 SOT-23-5 TSSOP-8 |
| KFW4G16Q2A | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| 24AA1025 | Последовательная память с интерфейсом I2C объемом 1024Кб |
|
Microchip |
SEEPROM |
128 | 8 | 1.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
DIP-8 SOIC-8 |
| S30MS512P | 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P |
|
Spansion |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 |
FBGA-137 TSOPI-48 |
| S26KS128S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 128 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
|
Cypress |
NOR Flash |
16 | 8 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 125 |
|
| AT24MAC402 | Семейство микросхем последовательной EEPROM памяти объемом 2Кб, содержит 48-битные адреса идентификации узла MAC и EUI, 128-битные предустановленные серийные номера |
|
Atmel Corporation |
EEPROM |
256 | 8 | 1.7 ... 5.5 | -55 ... 125 |
SOIC-8 SOT-23-5 TSSOP-8 |
| KFH2G16Q2A | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| S30MS512P | 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P |
|
Spansion |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 |
FBGA-137 TSOPI-48 |
| S26KS256S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 256 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
|
Cypress |
NOR Flash |
32 | 16 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 125 |
|
| KFG1G16Q2A | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| 24AA00 | Последовательная память с интерфейсом I2C объемом 128б |
|
Microchip |
SEEPROM |
0 | 8 | 1.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
DIP-8 SOIC-8 TSSOP-8 |
| S26KS512S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 512 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
|
Cypress |
NOR Flash |
64 | 32 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 125 |
|
| KFG1G16Q2B | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| A64E06161 | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 1Мх16 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 |
|
| CYF2072V | FIFO с высокой плотностью памяти объемом 72 Мбит |
|
Cypress |
FIFO |
- | - | 1.7 ... 1.9 | -40 ... 85 |
|
| CYF2036V | FIFO с высокой плотностью памяти объемом 36 Мбит |
|
Cypress |
FIFO |
- | - | 1.7 ... 1.9 | -40 ... 85 |
|
| KFM1G16Q2B | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| CYF2018V | FIFO с высокой плотностью памяти объемом 18 Мбит |
|
Cypress |
FIFO |
- | - | 1.7 ... 1.9 | -40 ... 85 |
|
