Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
1645РУ1 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 1 Мбит (128К x 8) бит | Миландр |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 3 ... 5.5 | -60 ... 125 |
Н18.64-3B |
|
1645РУ3 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 4 Мбит (256К x 16 бит) | Миландр |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н18.64-3B |
|
1636РР2АУ | 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа | Миландр |
NOR Flash |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н16.48-1В |
|
1636РР4У | 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа | Миландр |
NOR Flash |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н16.48-1В |
|
1636РР1АУ | 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа | Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н14.42-1В |
|
1636РР3У | 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа | Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н14.42-1В |
|
1636РР5У | 1М (128Кх8), микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа | Миландр |
NOR Flash |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
Н14.42-1В |
|
5576РС1У | ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4 Мбит для конфигурирования ПЛИС | Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н09.28-1В |
|
K9F5608U0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 WSOPI-48 |
|
IS25LP064 | 64 Мб Flash-память с последовательным доступом, 133 МГц, счетверённый интерфейс с удвоенной скоростью передачи данных | ISSI |
NOR Flash |
- | - | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
|
TC58CVG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 3 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
|
TC58CVG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 3 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
|
TC58CYG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 |
|
|
TC58CYG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 |
|
|
IS25LP128 | 128 Мб Flash-память с последовательным доступом, 133 МГц, счетверённый интерфейс с удвоенной скоростью передачи данных | ISSI |
NOR Flash |
- | - | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
|
IS25LP032 | 32 Мб Flash-память с последовательным доступом, 133 МГц, счетверённый интерфейс с удвоенной скоростью передачи данных | ISSI |
NOR Flash |
- | - | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
|
TC58CVG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 3 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
|
IS25LP256 | 256 Мб Flash-память с последовательным доступом, 166 МГц, интерфейс с удвоенной скоростью передачи данных | ISSI |
NOR Flash |
- | - | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
SOIC-16 |
|
TC58CYG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 |
|
|
MB85RS1MT | Ферроэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM), объемом 1 Мбит, последовательным интерфейсом SPI в 8-выводном корпусе WL-CSP | Fujitsu Components |
FRAM |
131 | 8 | 1.8 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|