Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
DS1743 | Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени | Maxim Integrated |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-28 PCM-34 |
|
IDT7200L50J | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 50 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
|
CY62128E | Статическая память 128К х 8 | Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
|
CY7C4265–10ASXC | Синхронная FIFO организацией 16K x 18, 10 нс, 0°C...+70°C | Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 18 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
TQFP-64 |
|
IDT71256SA | Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) | IDT |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IDT7200L20TP | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 20 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
1636РР5У | 1М (128Кх8), микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа | Миландр |
NOR Flash |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
Н14.42-1В |
|
CY7C4271-15AXC | Синхронная FIFO организацией 32K x 9, 15 нс, 0°C...+70°C | Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
IDT71256L | Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) | IDT |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 5.585 |
PDIP-28 |
|
M48Z12 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
W26020A | Высокоскоростная ИС статической памяти 128К х 16 | Winbond |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 4.75 ... 5.25 | 0 ... 70 |
|
|
W26010A | Высокоскоростная ИС статической памяти 64К х 16 | Winbond |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
|
|
DS1350AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 4096К со встроенной литиевой батареей | Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
PCM-34 |
|
DS1345AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 1024К со встроенной литиевой батареей | Maxim Integrated |
NVSRAM |
128 | 8 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
PCM-34 |
|
M48T58 | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |
|
DS1330AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 256К со встроенной литиевой батареей | Maxim Integrated |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
PCM-34 |
|
W24257Q | Малопотребляющая статическая память 32Кх8 | Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 4.75 ... 5.25 | 0 ... 70 |
|
|
M48T35 | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |