Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
R1LV1616R-8S | 16 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (1M x 16 бит / 2M x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
IS61LPS102418A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх18 | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
R1LV1616R-7S | 16 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (1M x 16 бит / 2M x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
A64S06161A | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 1Мх16 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 2.7 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
|
DS28E01-100 | Недорогая защищенная в соответствии с SHA-1 микросхема EEPROM объемом 1Кбит с однопроводным интерфейсом 1-Wire | Maxim Integrated |
EEPROM |
1024 | 1 | 2.8 ... 5.25 | -40 ... 85 |
TO-92 |
|
R1LV1616R-5S | 16 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (1M x 16 бит / 2M x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
A64S06162A | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 1Мх16 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 2.7 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
|
CY7S1061G30 | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ емкостью 16 Мбит с малой потребляемой мощностью и встроенной схемой коррекции ошибок ECC | Cypress |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
K6R4004C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 1Мх4 с напряжением питания 5.0В | Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IS61VPS102418A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх18 | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 2.375 ... 2.7 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
A64E06161 | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 1Мх16 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 |
|
|
CY7S1061G18 | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ емкостью 16 Мбит с малой потребляемой мощностью и встроенной схемой коррекции ошибок ECC | Cypress |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
IS61QDB21M36 | Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (1Mx36) | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 1.71 ... 1.89 | 0 ... 70 |
|
|
CY7S1061G | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ емкостью 16 Мбит с малой потребляемой мощностью и встроенной схемой коррекции ошибок ECC | Cypress |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
BS616LV1611 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
A63L0618 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх18 | AMIC Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 3.1 ... 3.5 | -25 ... 85 |
LQFP-100 |
|
IS61QDB41M36 | Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (1Mx36) | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 1.71 ... 1.89 | 0 ... 70 |
|
|
R1LV0808ASB-7SI | 8 Мб SRAM (1024К х 8бит) семейства Advanced LPSRAM | Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
R1LV0808ASB-5SI | 8 Мб SRAM (1024К х 8бит) семейства Advanced LPSRAM | Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
IS61NVP102436A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 1Мх36 | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |