Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
NAND04GR3B2D | 4Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |
|
CYF0018V | FIFO с высокой плотностью памяти объемом 18 Мбит | Cypress |
FIFO |
- | - | 1.7 ... 1.9 | -40 ... 85 |
|
|
AT93C46A | 3-х проводная SEEPROM с объемом памяти 1K (64 x 16) | Atmel Corporation |
SEEPROM |
1 | - | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
|
HY27UF082G2A | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
|
KFM1G16Q2A | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9NBG08U5A | 32 Гбит (4096М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
KFKAGH6Q4M | 16Гбит (1024М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
TC58CVG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 3 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
|
NAND08GW3B2A | 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
AT93C46 | 3-х проводная SEEPROM с объемом памяти 1К | Atmel Corporation |
SEEPROM |
1 | - | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
|
HY27SF162G2B | 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
KFG1G16Q2M | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9WAG08U1A | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TLGA-52 TSOPI-48 |
|
KFN8GH6Q4M | 8Гбит (512М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
NAND04GW3B2B | 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
HY27SF082G2B | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
KFH2G16Q2M | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9K8G08U0A | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
KFM4GH6Q4M | 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
NAND02GW4B2D | 2Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |