Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
MR4A16B | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 1M х 16 бит | - | Everspin Technologies |
MRAM |
1024 | 16 | 3 ... 3.6 | - |
|
MR4A08B | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 2M х 8 бит | - | Everspin Technologies |
MRAM |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | - |
|
1645РК2Т | Микросхема двухпортового статического ОЗУ емкостью 16К (2Кх8) бит | Миландр |
Синхронная FIFO |
- | 8 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
|
|
1636РР4У | 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа | Миландр |
NOR Flash |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н16.48-1В |
|
1645РГ1Т | Двухпортовое СОЗУ типа FIFO 144 Кбит (16Кх9) | Миландр |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
4119.28-6 |
|
1645РУ4 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 16 Мбит (1М x 16 бит) | Миландр |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
5134.64-6 |
|
1645РУ3 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 4 Мбит (256К x 16 бит) | Миландр |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н18.64-3B |
|
1645РУ2 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 64 Кбит (8К x 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов | Миландр |
High Speed SRAM |
8 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
4119.28-6 |
|
1645РУ1 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 1 Мбит (128К x 8) бит | Миландр |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 3 ... 5.5 | -60 ... 125 |
Н18.64-3B |
|
1645РУ5У | Микросхема асинхронного статического ОЗУ объемом 4Мбит (512К х 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов | Миландр |
Асинхронная FIFO |
- | 8 | 3 ... 5.5 | -60 ... 125 |
5134.64-6 |
|
5576РС1У | ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4 Мбит для конфигурирования ПЛИС | Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н09.28-1В |
|
5576РТ1У | Микросхема радиационностойкого однократно программируемого ПЗУ емкостью 1 Мб для конфигурирования ПЛИС | Миландр |
SBRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 100 |
5134.64-6 |
|
1645РТ2У | Однократно электрически программируемое постоянное запоминающее устройство емкостью 256К (32Кх8) бит | Миландр |
NOR Flash |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
5134.64-6 |
|
1645РТ3У | Однократно программируемое ПЗУ Flash-типа емкостью 2M с перестраиваемой организацией 128Кх16 или 256Кх8 | Миландр |
NOR Flash |
256 | 8 | 3 ... 5.5 | -60 ... 125 |
5134.64-6 |
|
1636РР2АУ | 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа | Миландр |
NOR Flash |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н16.48-1В |
|
1636РР3У | 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа | Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н14.42-1В |
|
1636РР1АУ | 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа | Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н14.42-1В |
|
1636РР5У | 1М (128Кх8), микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа | Миландр |
NOR Flash |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
Н14.42-1В |
|
IDT71256S | Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) | IDT |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -55 ... 125 |
PDIP-28 |
|
SM28VLT32-HT | Микросхема FLASH памяти объемом 32 Мбит с последовательным интерфейсом (SPI) для жестких условий эксплуатации | Texas Instruments |
Serial Flash |
- | 16 | 3 ... 3.6 | -55 ... 210 |
|