Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
IDT72V05L15J | 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 8K x 9, 15 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
|
MT29F8G08FAC | 8Гбит (1024М х 8 бит) 3-вольтовая NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
AT45DB021E | 1.65...3.6 В, 2 Мбит (+ 64 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® | Adesto Technologies |
DataFlash |
- | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 UBGA-9 |
|
M25PE10 | 1Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI | Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
|
AT26DF161 | Flash память для хранения программного кода из семейства DataFlash емкостью 16 Мбит, напряжением питания 2.7В и последовательным интерфейсом доступа | Atmel Corporation |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 VDFN-8 |
|
K9F1208U0C | 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
|
KFG1216Q2A | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
CY7C4255V–15ASXI | Синхронная FIFO организацией 8K x 18, 15 нс, -40°C...+85°C | Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 18 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-64 |
|
NAND512W3A2C | 512Мбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
S30MS01GR | 1Гбит (64М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R | Spansion |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
MTFDDAK120MBD | Твердотельный накопитель данных объемом 120 ГБ | Micron |
Твердотельные диски NAND Flash+PSRAM |
- | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 | - | |
HY27SS16561A | 256 Мбит (16М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
|
IDT72V04L35J | 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 4K x 9, 35 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
|
MT29F4G08BAC | 4Гбит (512М х 8 бит) 3-вольтовая NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
SM28VLT32-HT | Микросхема FLASH памяти объемом 32 Мбит с последовательным интерфейсом (SPI) для жестких условий эксплуатации | Texas Instruments |
Serial Flash |
- | 16 | 3 ... 3.6 | -55 ... 210 |
|
|
M25PE16 | 16Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI | Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
|
AT26DF081A | 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись | Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
|
N25Q128A13 | 3В, 128 Мб SPI-Flash память | Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-16 |
|
K9F1208B0C | 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.5 ... 2.9 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
IDT7200L25JI | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 25 нс, -40°C...+85°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|