Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
M35B32 Микросхема памяти EEPROM объемом 32 Кб с интерфейсом SPI STMicroelectronics EEPROM
32 - 2.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOIC-8
TSSOP-8
UFDFPN-8
M48T18 Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
8 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
M48Z2M1V Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
2048 8 3 ... 3.6 0 ... 70 PLDIP-36
M48T512V Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
512 8 3 ... 3.6 0 ... 70 PMDIP-32
M48T58 Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
8 8 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
M48Z58 Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
8 8 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
M48Z08 Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
8 8 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
M24C64-DF EEPROM 64кбит с интерфейсом I²C STMicroelectronics EEPROM
8 8 1.7 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-8
TSSOP-8
MLP-8
M48T128Y Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
128 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PMDIP-32
M48Z2M1Y Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
2048 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PLDIP-36
M48T35AV Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
32 8 3 ... 3.6 0 ... 70 PCDIP-28
SOH-28
M48Z58Y Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
8 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
SOH-28
M48Z18 Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
8 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
M24C64-W EEPROM 64кбит с интерфейсом I²C STMicroelectronics EEPROM
8 8 2.5 ... 5.5 -40 ... 125 DIP-8
SOIC-8
TSSOP-8
M48T128V Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
128 8 3 ... 3.6 0 ... 70 PMDIP-32
M48Z32V Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
32 8 3 ... 3.6 0 ... 70 SOH-44
M48T37V Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
32 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 SOH-44
SRT512 Микросхемы памяти с бесконтактным доступом на коротком расстоянии работают на частоте 13.56 МГц и интегрируют 512 бит EEPROM и функции защиты от коллизий STMicroelectronics Память
- - 2.5 ... 3.5 -40 ... 85 Wafer
M48Z128 Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
128 8 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PMDIP-32
M24C64-R EEPROM 64кбит с интерфейсом I²C STMicroelectronics EEPROM
8 8 1.8 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-8
TSSOP-8
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019