Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IS62WV1288ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV51232ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кx32 с напряжением питания 3.3В |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 32 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS61LF6432A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 64Кх32 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 32 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| IS62WV20488ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS61LF6436A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 64Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 36 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| CY62137FV18 | Статическая память объемом 2Mb |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 1.65 ... 2.25 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV20488ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS65WV102416ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
TSOPI-48 |
| IS65WV12816ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
|
| IS62WV102416ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| CY62167EV18 | Статическая память объемом 16Mb (1M x 16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 1.65 ... 2.25 | -40 ... 85 |
|
| AT45DB041E | 1.65...3.6 В, 4 Мбит (+ 128 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® |
|
Adesto Technologies |
DataFlash |
- | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 UBGA-9 |
| BH62UV1611 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV102416ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| AT45DB041E | 1.65...3.6 В, 4 Мбит (+ 128 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® |
|
Adesto Technologies |
DataFlash |
- | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 UBGA-9 |
| BH62UV1610 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV25632ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256Кх32 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 32 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| BH62UV1601 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
2048 | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| CY62167DV18 | Статическая память объемом 16Mb (1M x 16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
|
| TC58CYG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 |
|
