Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
TC58CYG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
- - 1.675 ... 1.8 -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58DVG02A3TA00 128М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 TSOPI-48
TC58CVG2S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит Toshiba NAND Flash
- - 3 ... 3.3 -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CYG2S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит Toshiba NAND Flash
- - 1.675 ... 1.8 -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58DVM92A3BAJW 64М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
TC58NVM9S3CTA00 64М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 TSOPI-48
TC58NVM9S3CBAJW 64М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
SM28VLT32-HT Микросхема FLASH памяти объемом 32 Мбит с последовательным интерфейсом (SPI) для жестких условий эксплуатации Texas Instruments Serial Flash
- 16 3 ... 3.6 -55 ... 210 CFP-14
M48Z512AY Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
512 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PMDIP-32
M440T1MV Энергонезависимая SRAM объемом 32Мб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
1024 32 3 ... 3.6 -15 ... 75 PBGA-168
M48T08 Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
8 8 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
M48Z129V Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
128 8 3 ... 3.6 0 ... 70 PMDIP-32
M48T35Y Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
32 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PCDIP-28
SOH-28
M48Z512AV Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
512 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 PMDIP-32
M48Z12 Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
2 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-24
M48T08Y Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
8 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 SOH-28
M48Z129Y Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
128 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PMDIP-32
M48T512Y Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
512 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PMDIP-32
M48Z35AV Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
32 8 3 ... 3.6 0 ... 70 PCDIP-28
SOH-28
M48Z02 Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
2 8 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-24
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019