Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
KFK8G16Q2M 8Гб (512М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
AT25DF081 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись Adesto Technologies Serial Flash
- 8 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 SOIC-8
UDFN-8
WLCSP-11
M25PE80 8Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-8
QFN-8
VFQFPN-8
K9F5608D0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.4 ... 2.9 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
IDT7200L35J Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 35 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PLCC-32
KFG1216D2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.4 ... 2.9 -30 ... 85 FBGA-63
S34SL01G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 1 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-63
TC58DVM92A3BAJW 64М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
CY7C4285V–10ASXC Синхронная FIFO организацией 64K x 18, 10 нс, 0°C...+70°C Cypress Синхронная FIFO
- 18 3 ... 3.6 0 ... 70 TQFP-64
NAND01GW4A2B 1Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 Wafer
S30MS04GR 4Гбит (512М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 TSOPI-48
MTFDDAK128MBD Твердотельный накопитель данных объемом 128 ГБ Micron Твердотельные диски
NAND Flash+PSRAM
- - 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 -
HY27US08121B 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
IDT72V05L25JI 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 8K x 9, 25 нс, -40°C...+85°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 3 ... 3.6 -40 ... 85 PLCC-32
KFN4G16Q2M 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
AT25DF641A 64 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-8
UDFN-8
M25PE40 4Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-8
VFQFPN-8
AT26DF321 Flash память для хранения программного кода из семейства DataFlash емкостью 32 Мбит, напряжением питания 2.7В и последовательным интерфейсом доступа Atmel Corporation Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-16
SOIC-8
VDFN-8
IDT7200L35SO Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 35 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 0 ... 70 SOIC-28
KFG1216Q2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019