Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
M48T18 Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
8 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
M48T58 Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
8 8 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
M48T58Y Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
8 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
SOH-28
M48Z58 Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
8 8 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
M48Z08 Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
8 8 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
M48Z58Y Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
8 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
SOH-28
M48Z18 Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
8 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
DS1553 Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
8 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 MOD-28
PCM-34
DS1553W Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
8 8 3 ... 3.6 0 ... 70 MOD-28
PCM-34
DS3050W Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC Maxim Integrated NVSRAM
512 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
M48T512Y Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
512 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PMDIP-32
M48T512V Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
512 8 3 ... 3.6 0 ... 70 PMDIP-32
M48Z512AY Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
512 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PMDIP-32
M48Z512AV Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
512 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 PMDIP-32
M48Z512A Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
512 8 4.75 ... 5.5 -40 ... 85 PMDIP-32
DS1557W Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
512 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 PCM-34
DS1557 Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
512 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PCM-34
DS2050W Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
512 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
M440T1MV Энергонезависимая SRAM объемом 32Мб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
1024 32 3 ... 3.6 -15 ... 75 PBGA-168
DS3030W Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб, напряжением 3.3В и встроенным RTC Maxim Integrated NVSRAM
32 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019