Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
CY7C4021KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (4M x18), 667 МГц Cypress High Speed SRAM
4096 18 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
24VL024H Микросхема последовательной памяти EEPROM объемом 2К с интерфейсом I2C, с защитой от записи половины области памяти Microchip SEEPROM
2 8 1.5 ... 3.6 -20 ... 85 DIP-8
MSOP-8
SOIC-8
TSSOP-8
TDFN-8
24VL025 Микросхема последовательной памяти EEPROM объемом 2К с интерфейсом I2C Microchip SEEPROM
2 8 1.5 ... 3.6 -20 ... 85 DIP-8
MSOP-8
SOIC-8
SOT-23-6
TSSOP-8
TDFN-8
24VL024 Микросхема последовательной памяти EEPROM объемом 2К с интерфейсом I2C Microchip SEEPROM
2 8 1.5 ... 3.6 -20 ... 85 DIP-8
MSOP-8
SOIC-8
TSSOP-8
TDFN-8
24VL014H Микросхема последовательной памяти EEPROM объемом 1К с интерфейсом I2C, с защитой от записи половины области памяти Microchip SEEPROM
1 8 1.5 ... 3.6 -20 ... 85 DIP-8
MSOP-8
SOIC-8
TSSOP-8
TDFN-8
24VL014 Микросхема последовательной памяти EEPROM объемом 1К с интерфейсом I2C Microchip SEEPROM
1 8 1.5 ... 3.6 -20 ... 85 DIP-8
MSOP-8
SOIC-8
SOT-23-6
TSSOP-8
TDFN-8
K9F2G08R0A 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 FBGA-63
BH616UV8011 Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
512 16 1.65 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
AT25DL161 16 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт Adesto Technologies Serial Flash
- 8 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 SOIC-8
UDFN-8
WLCSP-8
BH616UV8010 Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
512 16 1.65 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
BGA-48
IS61WV10248ALL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 ISSI High Speed SRAM
1024 8 1.65 ... 2.2 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
AT25DL081 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт Adesto Technologies Serial Flash
- 8 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 SOIC-8
UDFN-8
WLCSP-8
BH62UV8001 Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
1024 8 1.65 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
AT25DF081 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись Adesto Technologies Serial Flash
- 8 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 SOIC-8
UDFN-8
WLCSP-11
BH62UV4000 Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
512 8 1.65 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-36
DIP-32
SOP-32
STSOP-32
TSOPII-32
IS61WV51216ALL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 ISSI High Speed SRAM
512 16 1.65 ... 2.2 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
IS64WV5128BLL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 ISSI High Speed SRAM
512 8 1.65 ... 2.2 -40 ... 125 BGA-36
SOJ-36 (400mil)
TSOPII-44
CY62157EV18 Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) Cypress Low Power SRAM
512 16 1.65 ... 2.25 -40 ... 85 VFBGA-48
LP62E16128A-I Низкопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 AMIC Technology Low Power SRAM
128 16 1.65 ... 2.2 -40 ... 85 CSP-48
TSOP-44
K9F5608R0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 FBGA-63
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019