Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
IS62WV51216ALL Малопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх16 ISSI High Speed SRAM
512 16 1.65 ... 2.2 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
BH62UV1611 Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
1024 16 1.65 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
IS62VV25616LL Малопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх16 ISSI High Speed SRAM
256 16 1.7 ... 2.25 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
BS62LV8001 Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
1024 8 2.4 ... 5.5 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
MR1A16A Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит Everspin Technologies MRAM
128 16 3 ... 3.6 0 ... 70 BGA-48
TSOPII-44
BS616UV1010 Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
64 16 1.9 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
IS62C51216AL Ультромалопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 ISSI Low Power SRAM
512 16 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
IS64WV20488ALL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 ISSI High Speed SRAM
2048 8 2.4 ... 3.6 -40 ... 125 BGA-48
TSOPII-44
IS65WV12816ALL Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 ISSI High Speed SRAM
128 16 1.65 ... 2.2 -40 ... 125 BGA-48
TSOPII-44
IS61WV204816BLL Быстродействующая асинхронная статическая RAM-память объемом 32 Мбит с напряжением питания 3.3 В ISSI High Speed SRAM
2048 16 2.4 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
TSOP-48
MR0A08BM Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 8 бит Everspin Technologies MRAM
128 8 3 ... 3.6 -40 ... 125 BGA-48
TSOPII-44
MR2A16AC Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 256К х 16 бит Everspin Technologies MRAM
256 16 3 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
IS64WV3216BLL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32Кx16 ISSI High Speed SRAM
32 16 2.5 ... 3.6 -40 ... 125 BGA-48
TSOPII-44
MR4A08B Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 2M х 8 бит - Everspin Technologies MRAM
2048 8 3 ... 3.6 - BGA-48
TSOPII-44
IS64WV102416BLL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 ISSI High Speed SRAM
1024 16 2.4 ... 3.6 -40 ... 125 TSOPI-48
BGA-48
IS66WV51216ALL Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 512Кх16 ISSI High Speed SRAM
512 16 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
MR256A08BC Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 32К х 8 бит Everspin Technologies MRAM
32 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
IS64WV6416BLL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кx16 ISSI High Speed SRAM
64 16 2.5 ... 3.6 -40 ... 125 BGA-48
TSOPII-44
IDT71V416S Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
256 16 -40 ... 85 3 ... 3.6 BGA-48
SOJ-44
TSOPII-44
BH62UV8001 Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
1024 8 1.65 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019