Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
A67P0636 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 1Мх36 AMIC Technology High Speed SRAM
1024 36 2.375 ... 2.625 0 ... 70 LQFP-100
GS78108A Асинхронная статическая память объемом 8Мб (1M x 8) GSI Technology High Speed SRAM
1024 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-119
IS62WV10248BLL Малопотребляющее статическое ОЗУ 1Мх8 ISSI High Speed SRAM
1024 8 2.5 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
A67L06361 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 1Мх36 AMIC Technology High Speed SRAM
1024 36 3.135 ... 3.465 -25 ... 85 LQFP-100
AT24C1024B 2-х проводная SEEPROM с объемом памяти 1М Atmel Corporation SEEPROM
1024 8 1.8 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-8
IS61LF102418A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 1Мх18 ISSI High Speed SRAM
1024 18 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
DS3065W Энергонезависимая SRAM объемом 8Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
AT24C1024 2-х проводная SEEPROM с объемом памяти 1М Atmel Corporation SEEPROM
1024 8 2.7 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-8
MR4A16B Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 1M х 16 бит - Everspin Technologies MRAM
1024 16 3 ... 3.6 - BGA-48
A67X0636A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 1Мх36 AMIC Technology High Speed SRAM
1024 36 2.375 ... 3.465 -25 ... 85 LQFP-100
AT24CS08 Микросхемы последовательной EEPROM памяти объемом 8Кб, содержат 128-битные предустановленные серийные номера Atmel Corporation EEPROM
1024 8 1.7 ... 5.5 -55 ... 125 SOIC-8
SOT-23-5
TSSOP-8
UDFN-8
M95M02-A125 Микросхема последовательный EEPROM-памяти объемом 2Мб, интерфейс SPI, для автомобильный приложений STMicroelectronics EEPROM
1024 256 2.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOIC-8
GS74104A Асинхронная статическая память объемом 4Мб (1M x 4) GSI Technology High Speed SRAM
1024 4 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPII-44
IS61LPD102418A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх18 ISSI High Speed SRAM
1024 18 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-165
DS3644 Память объемом 1КБ с программированием обработки попыток несанкционированного вмешательства - Maxim Integrated RAM
1024 8 - -55 ... 95 CSBGA-49
A67L0636 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 1Мх36 AMIC Technology High Speed SRAM
1024 36 2.7 ... 3.6 0 ... 70 LQFP-100
IS61VPD102418A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх18 ISSI High Speed SRAM
1024 18 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-165
AS6C8008 Ультронизкопотребляющая статическая память 1024К х 8 Alliance Memory Low Power SRAM
1024 8 2.7 ... 5.5 -40 ... 85 TFBGA-48
TSOPII-44
DS1265Y Энергонезависимая SRAM емкостью 8Мб Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-36
DS1265AB Энергонезависимая SRAM емкостью 8Мб Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-36
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019